Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDS6298_G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4800177

FDS6298_G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDS6298_G
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CHANNEL 30V 13A 8SO
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SO
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    9 mOhm @ 13A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.2W
  • Package / Case
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1108pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    14nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 13A 1.2W Surface Mount 8-SO
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    13A

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDS6298_G”.
FDS5682

FDS5682

Opis: MOSFET N-CH 60V 7.5A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6294

FDS6294

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS5692Z

FDS5692Z

Opis: MOSFET N-CH 50V 5.8A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6298

FDS6298

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6162N3

FDS6162N3

Opis: MOSFET N-CH 20V 21A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6299S

FDS6299S

Opis: MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6612A

FDS6612A

Opis: MOSFET N-CH 30V 8.4A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6064N3

FDS6064N3

Opis: MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6162N7

FDS6162N7

Opis: MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6614A

FDS6614A

Opis: MOSFET N-CH 30V 9.3A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS5690

FDS5690

Opis: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6609A

FDS6609A

Opis: MOSFET P-CH 30V 6.3A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6570A

FDS6570A

Opis: MOSFET N-CH 20V 15A 8SOIC

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6576

FDS6576

Opis: MOSFET P-CH 20V 11A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6572A

FDS6572A

Opis: MOSFET N-CH 20V 16A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6064N7

FDS6064N7

Opis: MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6375

FDS6375

Opis: MOSFET P-CH 20V 8A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6575

FDS6575

Opis: MOSFET P-CH 20V 10A 8-SO

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS6574A

FDS6574A

Opis: MOSFET N-CH 20V 16A 8-SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDS5690-NBBM009A

FDS5690-NBBM009A

Opis: MOSFET N-CH 60V 7A 8SOIC

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.