Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDR858P
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1778908

FDR858P

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDR858P
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDR858P.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SuperSOT™-8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    19 mOhm @ 8A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.8W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SMD, Gull Wing
  • Inne nazwy
    FDR858P-ND
    FDR858PTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2010pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    30nC @ 5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 8A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    8A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDR858P”.
FDR25S-4

FDR25S-4

Opis: CABLE STRANDED

Producenci: TE Connectivity Raychem Cable Protection
Na stanie
RFQ
FDR840P

FDR840P

Opis: MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDR8521L

FDR8521L

Opis: MOSFET P-CH 20V SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
AON6400L_002

AON6400L_002

Opis: MOSFET N-CH 30V 85A 8DFN

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
FDR25S-8

FDR25S-8

Opis: HOOK-UP DUAL WALL STRND 8AWG BLK

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FDR8308P

FDR8308P

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDR844P

FDR844P

Opis: MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDR25-0

FDR25-0

Opis: CABLE STRANDED MC

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FDR4420A

FDR4420A

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
HUF75652G3

HUF75652G3

Opis: MOSFET N-CH 100V 75A TO-247

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDR8305N

FDR8305N

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FQI9N08TU

FQI9N08TU

Opis: MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDR8702H

FDR8702H

Opis: MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF2804STRL7PP

IRF2804STRL7PP

Opis: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FDR6674A

FDR6674A

Opis: MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDR25S-2

FDR25S-2

Opis: HOOK-UP DUAL WALL STRND 2AWG BLK

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FDR842P

FDR842P

Opis: MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDR838P

FDR838P

Opis: MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDR6580

FDR6580

Opis: MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDR8508P

FDR8508P

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.