Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDR842P
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3188521

FDR842P

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDR842P
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 12V 11A SSOT-8
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDR842P.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SuperSOT™-8
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    9 mOhm @ 11A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    1.8W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-SMD, Gull Wing
  • Inne nazwy
    FDR842P-ND
    FDR842PTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    5350pF @ 6V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    80nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    12V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 12V 11A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    11A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDR842P”.
FDR25S-8

FDR25S-8

Opis: HOOK-UP DUAL WALL STRND 8AWG BLK

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FDR838P

FDR838P

Opis: MOSFET P-CH 20V 8A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDR844P

FDR844P

Opis: MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDR8508P

FDR8508P

Opis: MOSFET 2P-CH 30V 3A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDR25S-4

FDR25S-4

Opis: CABLE STRANDED

Producenci: TE Connectivity Raychem Cable Protection
Na stanie
RFQ
IXTC160N085T

IXTC160N085T

Opis: MOSFET N-CH 85V 110A ISOPLUS 220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
FDR6674A

FDR6674A

Opis: MOSFET N-CH 30V 11.5A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFS7530TRL7PP

IRFS7530TRL7PP

Opis: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FDR25-0

FDR25-0

Opis: CABLE STRANDED MC

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
IRFU024

IRFU024

Opis: MOSFET N-CH 60V 14A I-PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FDR8521L

FDR8521L

Opis: MOSFET P-CH 20V SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDR8702H

FDR8702H

Opis: MOSFET N/P-CH 20V SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDR858P

FDR858P

Opis: MOSFET P-CH 30V 8A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BUK7608-55,118

BUK7608-55,118

Opis: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
FDR4420A

FDR4420A

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDR25S-2

FDR25S-2

Opis: HOOK-UP DUAL WALL STRND 2AWG BLK

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
RFQ
FDR6580

FDR6580

Opis: MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDR8305N

FDR8305N

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDR8308P

FDR8308P

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 3.2A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDR840P

FDR840P

Opis: MOSFET P-CH 20V 10A SSOT-8

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.