Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDME430NT
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
232114Obraz FDME430NT.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDME430NT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDME430NT
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDME430NT.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±12V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    MicroFet 1.6x1.6 Thin
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    40 mOhm @ 6A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    2.1W (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-PowerUFDFN
  • Inne nazwy
    FDME430NT-ND
    FDME430NTTR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    760pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    9nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 6A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDME430NT”.
FDME1024NZT

FDME1024NZT

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDME410NZT

FDME410NZT

Opis: MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMD8900

FDMD8900

Opis: MOSFET 2N-CH 30V POWER

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMD8680

FDMD8680

Opis: MOSFET 2 N-CH 80V 66A 8-PQFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDME820NZT

FDME820NZT

Opis: MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMD8580

FDMD8580

Opis: MOSFET 80V 16A POWER 5X6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF3033

FDMF3033

Opis: IC HALF-BRIDGE DRVR PWM 31PQFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDME510PZT

FDME510PZT

Opis: MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDME910PZT

FDME910PZT

Opis: MOSFET P CH 20V 8A MICROFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMD8560L

FDMD8560L

Opis: MOSFET 2N-CH 46V 22A POWER

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF2011

FDMF2011

Opis: MCM FAN7842 DRIVER AND MV5 100V

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF301155

FDMF301155

Opis: SMART POWER STAGE (SPS)

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDME905PT

FDME905PT

Opis: MOSFET P-CH 12V 6-UMLP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF3032

FDMF3032

Opis: MODULE SPS 2MHZ

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMD86100

FDMD86100

Opis: MOSFET 2N-CH 100V

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDME1034CZT

FDME1034CZT

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDME1023PZT

FDME1023PZT

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF3030

FDMF3030

Opis: MODULE DRMOS 50A 40-PQFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMD8630

FDMD8630

Opis: MOSFET 2N-CH 30V 38A POWER5X6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDME8RG

FDME8RG

Opis: INDUSTRIALNET 8-PORT DIN RAIL F

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.