Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDME910PZT
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1827855Obraz FDME910PZT.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDME910PZT

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.95
10+
$0.829
100+
$0.64
500+
$0.474
1000+
$0.379
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDME910PZT
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P CH 20V 8A MICROFET
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDME910PZT.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±8V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    MicroFet 1.6x1.6 Thin
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    24 mOhm @ 8A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    2.1W (Ta)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    6-PowerUFDFN
  • Inne nazwy
    FDME910PZTCT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    39 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    2110pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    21nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    20V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 20V 8A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount MicroFet 1.6x1.6 Thin
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    8A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDME910PZT”.
FDMD8900

FDMD8900

Opis: MOSFET 2N-CH 30V POWER

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF3035

FDMF3035

Opis: IC SPS HALF-BRIDGE DRVR 31PQFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDME1023PZT

FDME1023PZT

Opis: MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6-MICROFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF301155

FDMF301155

Opis: SMART POWER STAGE (SPS)

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDME430NT

FDME430NT

Opis: MOSFET N-CH 30V 6A MICROFET1.6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF3172

FDMF3172

Opis: LOW VOLTAGE SMART POWER STAGE 3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF3039

FDMF3039

Opis: IC HALF-BRIDGE DRVR PWM 22PQFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDME510PZT

FDME510PZT

Opis: MOSFET P-CH 20V 6-MICROFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF3032

FDMF3032

Opis: MODULE SPS 2MHZ

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDME410NZT

FDME410NZT

Opis: MOSFET N-CH 20V 7A 6-MICROFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDME1034CZT

FDME1034CZT

Opis: MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDME1024NZT

FDME1024NZT

Opis: MOSFET 2N-CH 20V 3.8A 6-MICROFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF3037

FDMF3037

Opis: IC SPS HALF-BRIDGE DRVR 31PQFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF3030

FDMF3030

Opis: MODULE DRMOS 50A 40-PQFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF3170

FDMF3170

Opis: LOW VOLTAGE SMART POWER STAGE 3

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF2011

FDMF2011

Opis: MCM FAN7842 DRIVER AND MV5 100V

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDME905PT

FDME905PT

Opis: MOSFET P-CH 12V 6-UMLP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDME8RG

FDME8RG

Opis: INDUSTRIALNET 8-PORT DIN RAIL F

Producenci: Panduit
Na stanie
RFQ
FDME820NZT

FDME820NZT

Opis: MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDMF3033

FDMF3033

Opis: IC HALF-BRIDGE DRVR PWM 31PQFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.