Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDB024N06
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2426558Obraz FDB024N06.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB024N06

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$5.34
10+
$4.768
100+
$3.909
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    FDB024N06
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    FDB024N06.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    D²PAK
  • Seria
    PowerTrench®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    2.4 mOhm @ 75A, 10V
  • Strata mocy (max)
    395W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Inne nazwy
    FDB024N06CT
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    14885pF @ 25V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    226nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 120A (Tc) 395W (Tc) Surface Mount D²PAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    120A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „FDB024N06”.
FDB031N08

FDB031N08

Opis: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB039N06

FDB039N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB024N08BL7

FDB024N08BL7

Opis: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB035N10A

FDB035N10A

Opis: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB0105N407L

FDB0105N407L

Opis: MOSFET N-CH 40V 460A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB0300N1007L

FDB0300N1007L

Opis: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB016N04AL7

FDB016N04AL7

Opis: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB-1054-4BK

FDB-1054-4BK

Opis: 100G CFP4 BREAKOUT BRD W/O CBL

Producenci: Finisar Corporation
Na stanie
RFQ
FDB0165N807L

FDB0165N807L

Opis: MOSFET N-CH 80V 310A TO263

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB0260N1007L

FDB0260N1007L

Opis: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB024N04AL7

FDB024N04AL7

Opis: MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB0170N607L

FDB0170N607L

Opis: MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB029N06

FDB029N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB035AN06A0-F085

FDB035AN06A0-F085

Opis: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB0190N807L

FDB0190N807L

Opis: MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB035AN06A0

FDB035AN06A0

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
FDB-P

FDB-P

Opis: CONN PRESSURE BLOOK FOR PLUG

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
FDB-S

FDB-S

Opis: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
FDB-GP

FDB-GP

Opis: CONN GUIDE PLATE

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
FDB0250N807L

FDB0250N807L

Opis: MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.