Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > FDB0260N1007L

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

4690532

Obraz FDB0260N1007L.

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

FDB0260N1007L

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

800+

$4.087

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

FDB0260N1007L
Producent / marka

AMI Semiconductor/onsemi
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

FDB0260N1007L.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

D²PAK (TO-263)
Seria

PowerTrench®
RDS (Max) @ ID, Vgs

2.6 mOhm @ 27A, 10V
Strata mocy (max)

3.8W (Ta), 250W (Tc)
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Inne nazwy

FDB0260N1007LTR
temperatura robocza

-55°C ~ 175°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

39 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

8545pF @ 50V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

118nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

100V
szczegółowy opis

N-Channel 100V 200A (Tc) 3.8W (Ta), 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

200A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „FDB0260N1007L”.

FDB029N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB0105N407L

Opis: MOSFET N-CH 40V 460A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB024N04AL7

Opis: MOSFET N-CH 40V D2PAK-7

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB045AN08A0-F085

FDB045AN08A0-F085

Opis: MOSFET N-CH 75V 19A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB0190N807L

Opis: MOSFET N-CH 80V 270A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB039N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB0250N807L

Opis: MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB0300N1007L

Opis: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB035AN06A0-F085

FDB035AN06A0-F085

Opis: MOSFET N-CH 60V 22A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB045AN08A0

Opis: MOSFET N-CH 75V 90A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB024N06

Opis: MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB024N08BL7

Opis: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB035N10A

Opis: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB035AN06A0

Opis: MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB0165N807L

Opis: MOSFET N-CH 80V 310A TO263

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB047N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB016N04AL7

Opis: MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB0170N607L

Opis: MOSFET N-CH 60V 300A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB031N08

Opis: MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

FDB-S

Opis: CONN PRESSURE BLOOK FOR SKT

Producenci: Hirose

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.