Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > 3LP01C-TB-H
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1693136Obraz 3LP01C-TB-H.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

3LP01C-TB-H

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    3LP01C-TB-H
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 100MA CP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    3LP01C-TB-H.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (maks.)
    ±10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    3-CP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    10.4 Ohm @ 50mA, 4V
  • Strata mocy (max)
    250mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    7.5pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    1.43nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „3LP01C-TB-H”.
BSS123LT3G

BSS123LT3G

Opis: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SISA14DN-T1-GE3

SISA14DN-T1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 20A 1212-8

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TN2435N8-G

TN2435N8-G

Opis: MOSFET N-CH 350V 365MA SOT89-3

Producenci: Micrel / Microchip Technology
Na stanie
RFQ
3LP01C-TB-E

3LP01C-TB-E

Opis: MOSFET P-CH 30V 100MA CP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
3LP01M-TL-H

3LP01M-TL-H

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.1A MCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPS70R900P7SAKMA1

IPS70R900P7SAKMA1

Opis: MOSFET N-CHANNEL 700V 6A TO251

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
3LP01SS-TL-H

3LP01SS-TL-H

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
3LP01S-K-TL-E

3LP01S-K-TL-E

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.1A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF3704ZSTRRPBF

IRF3704ZSTRRPBF

Opis: MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
3LP01SS-TL-E

3LP01SS-TL-E

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
AOB12N60FDL

AOB12N60FDL

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
IXTQ48N20T

IXTQ48N20T

Opis: MOSFET N-CH 200V 48A TO-3P

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
3LP01S-TL-E

3LP01S-TL-E

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRLZ34STRR

IRLZ34STRR

Opis: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
PHB66NQ03LT,118

PHB66NQ03LT,118

Opis: MOSFET N-CH 25V 66A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
3LP01M-TL-E

3LP01M-TL-E

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.1A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
3LP01SS-TL-EX

3LP01SS-TL-EX

Opis: MOSFET P-CH 30V SOT-623

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRL2505PBF

IRL2505PBF

Opis: MOSFET N-CH 55V 104A TO-220AB

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FCD260N65S3

FCD260N65S3

Opis: MOSFET N-CH 260MOHM TO252

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
AOTF7T60L

AOTF7T60L

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO220F

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.