Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > 3LP01C-TB-E
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4786192Obraz 3LP01C-TB-E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

3LP01C-TB-E

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    3LP01C-TB-E
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 30V 100MA CP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    3LP01C-TB-E.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (maks.)
    ±10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    3-CP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    10.4 Ohm @ 50mA, 4V
  • Strata mocy (max)
    250mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    7.5pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    1.43nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 30V 100mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100mA (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „3LP01C-TB-E”.
AUIRFR2307Z

AUIRFR2307Z

Opis: MOSFET N-CH 75V 42A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRLU3714

IRLU3714

Opis: MOSFET N-CH 20V 36A I-PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
3LP01C-TB-H

3LP01C-TB-H

Opis: MOSFET P-CH 30V 100MA CP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPD80R1K4P7ATMA1

IPD80R1K4P7ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IRFP460BPBF

IRFP460BPBF

Opis: MOSFET N-CH 500V 20A TO-247AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
AOD498

AOD498

Opis: MOSFET N-CH 100V 2.5A TO252

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
3LP01SS-TL-E

3LP01SS-TL-E

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NX3008NBK,215

NX3008NBK,215

Opis: MOSFET N-CH 30V TO-236AB

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
3LP01S-TL-E

3LP01S-TL-E

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXTT82N25P

IXTT82N25P

Opis: MOSFET N-CH 250V 82A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IXFH12N90

IXFH12N90

Opis: MOSFET N-CH 900V 12A TO-247AD

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
3LP01M-TL-H

3LP01M-TL-H

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.1A MCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPC50N04S55R8ATMA1

IPC50N04S55R8ATMA1

Opis: MOSFET N-CHANNEL 40V 50A 8TDSON

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
3LP01M-TL-E

3LP01M-TL-E

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.1A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
3LP01S-K-TL-E

3LP01S-K-TL-E

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.1A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
3LP01SS-TL-H

3LP01SS-TL-H

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.1A SMCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
3LP01SS-TL-EX

3LP01SS-TL-EX

Opis: MOSFET P-CH 30V SOT-623

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
CSD19501KCS

CSD19501KCS

Opis: MOSFET N-CH 80V 100A TO220

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
IRF7455PBF

IRF7455PBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
STP12N60M2

STP12N60M2

Opis: MOSFET N-CH 600V 9A TO-220AB

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.