Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > 3LN01C-TB-H
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2412554Obraz 3LN01C-TB-H.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

3LN01C-TB-H

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    3LN01C-TB-H
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    3LN01C-TB-H.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (maks.)
    ±10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    3-CP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3.7 Ohm @ 80mA, 4V
  • Strata mocy (max)
    250mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    7pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    1.58nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 150mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    150mA (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „3LN01C-TB-H”.
IXTC75N10

IXTC75N10

Opis: MOSFET N-CH 100V 72A ISOPLUS220

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
IRL3803STRRPBF

IRL3803STRRPBF

Opis: MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
3LN01S-TL-E

3LN01S-TL-E

Opis: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
3LN01M-TL-H

3LN01M-TL-H

Opis: MOSFET N-CH 30V 150MA MCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
3LN01M-TL-E

3LN01M-TL-E

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXFH36N60P

IXFH36N60P

Opis: MOSFET N-CH 600V 36A TO-247

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
FDZ298N

FDZ298N

Opis: MOSFET N-CH 20V 6A BGA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IXTT140N10P

IXTT140N10P

Opis: MOSFET N-CH 100V 140A TO-268

Producenci: IXYS Corporation
Na stanie
RFQ
DMP2021UFDF-7

DMP2021UFDF-7

Opis: MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IRFHM4231TRPBF

IRFHM4231TRPBF

Opis: MOSFET N-CH 25V 40A PQFN

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPN80R2K4P7ATMA1

IPN80R2K4P7ATMA1

Opis: COOLMOS P7 800V SOT-223

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
PHD36N03LT,118

PHD36N03LT,118

Opis: MOSFET N-CH 30V 43.4A DPAK

Producenci: NXP Semiconductors / Freescale
Na stanie
RFQ
FQAF6N80

FQAF6N80

Opis: MOSFET N-CH 800V 4.4A TO-3PF

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
2N7225

2N7225

Opis: MOSFET N-CH 200V TO-254AA

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
STB7NK80Z-1

STB7NK80Z-1

Opis: MOSFET N-CH 800V 5.2A I2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IRF7483MTRPBF

IRF7483MTRPBF

Opis: MOSFET N-CH 40V 135A

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
3LN01SS-TL-H

3LN01SS-TL-H

Opis: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
3LN01S-K-TL-E

3LN01S-K-TL-E

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
3LN01SS-TL-E

3LN01SS-TL-E

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
3LN01C-TB-E

3LN01C-TB-E

Opis: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.