Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > 3LN01C-TB-E
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4447968Obraz 3LN01C-TB-E.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

3LN01C-TB-E

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    3LN01C-TB-E
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    3LN01C-TB-E.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (maks.)
    ±10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    3-CP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    3.7 Ohm @ 80mA, 4V
  • Strata mocy (max)
    250mW (Ta)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    3LN01C-TB-E-ND
    3LN01C-TB-EOSTR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    7pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    1.58nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 150mA (Ta) 250mW (Ta) Surface Mount 3-CP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    150mA (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „3LN01C-TB-E”.
3LN01S-K-TL-E

3LN01S-K-TL-E

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IPD320N20N3GBTMA1

IPD320N20N3GBTMA1

Opis: MOSFET N-CH 200V 34A TO252-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
3LN01M-TL-E

3LN01M-TL-E

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.15A

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
STI100N10F7

STI100N10F7

Opis: MOSFET

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
IRF7240PBF

IRF7240PBF

Opis: MOSFET P-CH 40V 10.5A 8-SOIC

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
3LN01SS-TL-E

3LN01SS-TL-E

Opis: MOSFET N-CH 30V 0.15A SSFP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
TPCA8055-H,LQ(M

TPCA8055-H,LQ(M

Opis: MOSFET N-CH 30V 56A 8SOP-ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DMP6050SPS-13

DMP6050SPS-13

Opis: MOSFETP-CH 60VPOWERDI5060-8

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
IPB60R199CPATMA1

IPB60R199CPATMA1

Opis: MOSFET N-CH 650V 16A TO-263

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FK3906010L

FK3906010L

Opis: MOSFET N-CH 60V 100MA SSMINI3

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
FCPF190N65S3R0L

FCPF190N65S3R0L

Opis: SUPERFET3 650V TO220F PKG

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BUK9Y41-80E,115

BUK9Y41-80E,115

Opis: MOSFET N-CH 80V 24A LFPAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
CSD18511KTTT

CSD18511KTTT

Opis: 40-V N-CHANNEL NEXFET POWER MOS

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
RFQ
DMN3020UTS-13

DMN3020UTS-13

Opis: MOSFET N-CH 30V 15A 8-TSSOP

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
3LN01M-TL-H

3LN01M-TL-H

Opis: MOSFET N-CH 30V 150MA MCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
3LN01SS-TL-H

3LN01SS-TL-H

Opis: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI4456DY-T1-E3

SI4456DY-T1-E3

Opis: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
3LN01S-TL-E

3LN01S-TL-E

Opis: MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SI8424DB-T1-E1

SI8424DB-T1-E1

Opis: MOSFET N-CH 8V 12.2A 2X2 4-MFP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
3LN01C-TB-H

3LN01C-TB-H

Opis: MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.