Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Zintegrowane obwody (ICS) > Pamięć > W989D2DBJX6I
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6747477Obraz W989D2DBJX6I.Winbond Electronics Corporation

W989D2DBJX6I

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
240+
$3.711
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    W989D2DBJX6I
  • Producent / marka
    Winbond Electronics Corporation
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    W989D2DBJX6I.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologia
    SDRAM - Mobile LPSDR
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    90-VFBGA (8x13)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    90-TFBGA
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    512Mb (16M x 32)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - Mobile LPSDR Memory IC 512Mb (16M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
  • Częstotliwość zegara
    166MHz
  • Czas dostępu
    5ns

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „W989D2DBJX6I”.
W98AD6KBGX6E

W98AD6KBGX6E

Opis: IC MEMORY SDRAM 1GB 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W988D2FBJX7E

W988D2FBJX7E

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W989D6DBGX6I

W989D6DBGX6I

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W98AD2KBJX6I TR

W98AD2KBJX6I TR

Opis: 1GB MSDR X32 166MHZ IND

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W98AD6KBGX6E TR

W98AD6KBGX6E TR

Opis: 1GB MSDR X16 166MHZ

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W989D6DBGX6I TR

W989D6DBGX6I TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W98AD2KBJX6I

W98AD2KBJX6I

Opis: IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W988D6FBGX6E

W988D6FBGX6E

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W988D2FBJX6I TR

W988D2FBJX6I TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W98AD2KBJX6E

W98AD2KBJX6E

Opis: IC MEMORY SDRAM 1GB 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W988D6FBGX6E TR

W988D6FBGX6E TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W989D2DBJX6I TR

W989D2DBJX6I TR

Opis: IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W988D6FBGX7E TR

W988D6FBGX7E TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W988D2FBJX6I

W988D2FBJX6I

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W98AD2KBJX6E TR

W98AD2KBJX6E TR

Opis: 1GB MSDR X32 166MHZ

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W988D6FBGX7E

W988D6FBGX7E

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W988D6FBGX6I

W988D6FBGX6I

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W988D2FBJX7E TR

W988D2FBJX7E TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W988D6FBGX6I TR

W988D6FBGX6I TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W98AD6KBGX6I

W98AD6KBGX6I

Opis: 1GB MSDR X16 166MHZ IND

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.