Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > W947D2HBJX6E TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3965764Obraz W947D2HBJX6E TR.Winbond Electronics Corporation

W947D2HBJX6E TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2500+
$2.656
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    W947D2HBJX6E TR
  • Producent / marka
    Winbond Electronics Corporation
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    W947D2HBJX6E TR.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    15ns
  • Napięcie - Dostawa
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologia
    SDRAM - Mobile LPDDR
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    90-VFBGA (8x13)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    90-TFBGA
  • Inne nazwy
    W947D2HBJX6E TR-ND
    W947D2HBJX6ETR
  • temperatura robocza
    -25°C ~ 85°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    128Mb (4M x 32)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 128Mb (4M x 32) Parallel 166MHz 5ns 90-VFBGA (8x13)
  • Częstotliwość zegara
    166MHz
  • Czas dostępu
    5ns

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „W947D2HBJX6E TR”.
W948D2FBJX5E TR

W948D2FBJX5E TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W947D6HBHX6E

W947D6HBHX6E

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9464G6KH-5 TR

W9464G6KH-5 TR

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W947D6HBHX5E

W947D6HBHX5E

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9464G6KH-5I TR

W9464G6KH-5I TR

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W947D2HBJX5E

W947D2HBJX5E

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W948D2FBJX5I

W948D2FBJX5I

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9464G6KH-5

W9464G6KH-5

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W947D2HBJX5I TR

W947D2HBJX5I TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W947D2HBJX5E TR

W947D2HBJX5E TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W947D6HBHX5E TR

W947D6HBHX5E TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W948D2FBJX5I TR

W948D2FBJX5I TR

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W947D2HBJX5I

W947D2HBJX5I

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W947D2HBJX6E

W947D2HBJX6E

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W947D6HBHX6E TR

W947D6HBHX6E TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9464G6KH-5I

W9464G6KH-5I

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W948D2FBJX5E

W948D2FBJX5E

Opis: IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W947D6HBHX5I

W947D6HBHX5I

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W947D6HBHX5I TR

W947D6HBHX5I TR

Opis: IC DRAM 128M PARALLEL 60VFBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
W9464G6KH-4 TR

W9464G6KH-4 TR

Opis: IC DRAM 64M PARALLEL 66TSOP II

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.