Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > W631GG6KB-11 TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2441628Obraz W631GG6KB-11 TR.Winbond Electronics Corporation

W631GG6KB-11 TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    W631GG6KB-11 TR
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    -
  • Napięcie - Dostawa
    1.425 V ~ 1.575 V
  • Technologia
    SDRAM - DDR3
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    96-WBGA (9x13)
  • Seria
    -
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    96-TFBGA
  • Inne nazwy
    W631GG6KB-11 DKR
    W631GG6KB-11 DKR-ND
    W631GG6KB-11DKR
  • temperatura robocza
    0°C ~ 85°C (TC)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Volatile
  • Rozmiar pamięci
    1Gb (64M x 16)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    DRAM
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    SDRAM - DDR3 Memory IC 1Gb (64M x 16) Parallel 933MHz 20ns 96-WBGA (9x13)
  • Częstotliwość zegara
    933MHz
  • Czas dostępu
    20ns
W631GG6KB12I TR

W631GG6KB12I TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6KB15I TR

W631GG6KB15I TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6KB-12 TR

W631GG6KB-12 TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6KB11I

W631GG6KB11I

Opis: IC SDRAM 1GBIT 96BGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6KB-12

W631GG6KB-12

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6KS12I

W631GG6KS12I

Opis: IC SDRAM 1GBIT 96BGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6KB11I TR

W631GG6KB11I TR

Opis: IC SDRAM 1GBIT 96BGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6MB-11

W631GG6MB-11

Opis: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6KB-15

W631GG6KB-15

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6MB-15

W631GG6MB-15

Opis: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6MB-11 TR

W631GG6MB-11 TR

Opis: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 96BGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6MB-15 TR

W631GG6MB-15 TR

Opis: IC SDRAM 1GBIT 667MHZ 96BGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6KB12J

W631GG6KB12J

Opis: IC SDRAM 1GBIT 96BGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6KS15I

W631GG6KS15I

Opis: IC SDRAM 1GBIT 96BGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6KS-12

W631GG6KS-12

Opis: IC SDRAM 1GBIT 96BGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6KB15J

W631GG6KB15J

Opis: IC SDRAM 1GBIT 96BGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6MB-12

W631GG6MB-12

Opis: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6KS-12 TR

W631GG6KS-12 TR

Opis: IC SDRAM 1GBIT 96BGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6KB-15 TR

W631GG6KB-15 TR

Opis: IC DRAM 1G PARALLEL 96WBGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie
W631GG6MB-12 TR

W631GG6MB-12 TR

Opis: IC SDRAM 1GBIT 800MHZ 96BGA

Producenci: Winbond Electronics Corporation
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść