Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > BYW29E-100,127
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3070929Obraz BYW29E-100,127.WeEn Semiconductors Co., Ltd

BYW29E-100,127

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
5000+
$0.34
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    BYW29E-100,127
  • Producent / marka
    WeEn Semiconductors Co., Ltd
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.05V @ 8A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220AC
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    25ns
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-2
  • Inne nazwy
    934011640127
    BYW29E-100
    BYW29E-100-ND
  • Temperatura pracy - złącze
    150°C (Max)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 8A Through Hole TO-220AC
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    8A
  • Pojemność @ VR F
    -
  • Podstawowy numer części
    BYW29-100

Karta graficzna NVIDIA RTX 5090 ma powierzchnię GPU 744 mm...

2024/11/25

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „BYW29E-100,127”.
BYW29-200G

BYW29-200G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220-2

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BYW29E-200,127

BYW29E-200,127

Opis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Producenci: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Na stanie
RFQ
BYW29-200HE3/45

BYW29-200HE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYW32-TR

BYW32-TR

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYW33-TAP

BYW33-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 300V 2A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYW29-50HE3/45

BYW29-50HE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYW29-150HE3/45

BYW29-150HE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYW29-150-E3/45

BYW29-150-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYW29E-150,127

BYW29E-150,127

Opis: DIODE GEN PURP 150V 8A TO220AC

Producenci: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Na stanie
RFQ
BYW29G-200-TR

BYW29G-200-TR

Opis: DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
BYW29ED-200,118

BYW29ED-200,118

Opis: DIODE GEN PURP 200V 8A DPAK

Producenci: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Na stanie
RFQ
BYW29-200-E3/45

BYW29-200-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYW32-TAP

BYW32-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 2A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYW29EX-200,127

BYW29EX-200,127

Opis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220F

Producenci: WeEn Semiconductors Co., Ltd
Na stanie
RFQ
BYW29-100-E3/45

BYW29-100-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYW34-TAP

BYW34-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 400V 2A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYW29-50-E3/45

BYW29-50-E3/45

Opis: DIODE GEN PURP 50V 8A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYW29-200

BYW29-200

Opis: DIODE GEN PURP 200V 8A TO220AC

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
RFQ
BYW29-100HE3/45

BYW29-100HE3/45

Opis: DIODE GEN PURP 100V 8A TO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
BYW33-TR

BYW33-TR

Opis: DIODE AVALANCHE 300V 2A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.