Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SUP85N10-10-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4541485Obraz SUP85N10-10-GE3.Vishay Siliconix

SUP85N10-10-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$6.82
10+
$6.126
25+
$5.792
100+
$5.019
250+
$4.762
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SUP85N10-10-GE3
  • Producent / marka
    Vishay / Siliconix
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.SUP85N10-10-GE3.pdf
    2.SUP85N10-10-GE3.pdf
  • Model ECAD
  • Napięcie - Test
    6550pF @ 25V
  • VGS (th) (Max) @ Id
    10.5 mOhm @ 30A, 10V
  • Vgs (maks.)
    4.5V, 10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    TrenchFET®
  • Stan RoHS
    Digi-Reel®
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    85A (Tc)
  • Polaryzacja
    TO-220-3
  • Inne nazwy
    SUP85N10-10-GE3DKR
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    24 Weeks
  • Numer części producenta
    SUP85N10-10-GE3
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    160nC @ 10V
  • Rodzaj IGBT
    ±20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    3V @ 250µA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 100V 85A (Tc) 3.75W (Ta), 250W (Tc) Through Hole
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    100V
  • Stosunek pojemności
    3.75W (Ta), 250W (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SUP85N10-10-GE3”.
SUP90N04-3M3P-GE3

SUP90N04-3M3P-GE3

Opis: MOSFET N-CH 40V 90A TO-220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUP75P05-08-E3

SUP75P05-08-E3

Opis: MOSFET P-CH 55V 75A TO220-3

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUP85N04-03-E3

SUP85N04-03-E3

Opis: MOSFET N-CH 40V 85A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUP85N10-10-E3

SUP85N10-10-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUP85N15-21-E3

SUP85N15-21-E3

Opis: MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUP90N06-5M0P-E3

SUP90N06-5M0P-E3

Opis: MOSFET N-CH 60V 90A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUP90142E-GE3

SUP90142E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUP85N02-03-E3

SUP85N02-03-E3

Opis: MOSFET N-CH 20V 85A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUP75P03-07-E3

SUP75P03-07-E3

Opis: MOSFET P-CH 30V 75A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUP85N03-3M6P-GE3

SUP85N03-3M6P-GE3

Opis: MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUP75N03-04-E3

SUP75N03-04-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUP85N03-04P-E3

SUP85N03-04P-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 85A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUP90220E-GE3

SUP90220E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 64A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUP90N03-03-E3

SUP90N03-03-E3

Opis: MOSFET N-CH 30V 90A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUP85N10-10-E3

SUP85N10-10-E3

Opis: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB

Producenci: Vishay Siliconix
Na stanie
RFQ
SUP90140E-GE3

SUP90140E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUP90330E-GE3

SUP90330E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 35.8A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUP80090E-GE3

SUP80090E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 150V 128A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUP85N10-10P-GE3

SUP85N10-10P-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUP85N10-10-GE3

SUP85N10-10-GE3

Opis: MOSFET N-CH 100V 85A TO220AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.