Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIHB12N65E-GE3
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5089885Obraz SIHB12N65E-GE3.Vishay Siliconix

SIHB12N65E-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$1.373
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SIHB12N65E-GE3
  • Producent / marka
    Vishay / Siliconix
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SIHB12N65E-GE3.pdf
  • Napięcie - Test
    1224pF @ 100V
  • Napięcie - Podział
    D²PAK (TO-263)
  • VGS (th) (Max) @ Id
    380 mOhm @ 6A, 10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    12A (Tc)
  • Polaryzacja
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    19 Weeks
  • Numer części producenta
    SIHB12N65E-GE3
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    70nC @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    4V @ 250µA
  • Cecha FET
    N-Channel
  • Rozszerzony opis
    N-Channel 650V 12A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    -
  • Opis
    MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    650V
  • Stosunek pojemności
    156W (Tc)

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SIHB12N65E-GE3”.
SIHA4N80E-GE3

SIHA4N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-220

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB18N60E-GE3

SIHB18N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB12N50C-E3

SIHB12N50C-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB15N50E-GE3

SIHB15N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB21N60EF-GE3

SIHB21N60EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB21N65EF-GE3

SIHB21N65EF-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 21A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB15N65E-GE3

SIHB15N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 15A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB12N60E-GE3

SIHB12N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB12N60ET5-GE3

SIHB12N60ET5-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHA6N80E-GE3

SIHA6N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB12N60ET1-GE3

SIHB12N60ET1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB22N60AE-GE3

SIHB22N60AE-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB20N50E-GE3

SIHB20N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 19A TO-263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB10N40D-GE3

SIHB10N40D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 400V 10A DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHA30N60AEL-GE3

SIHA30N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V TO-220 FULLPA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB12N50E-GE3

SIHB12N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB15N60E-GE3

SIHB15N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB12N65E-GE3

SIHB12N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHA6N65E-E3

SIHA6N65E-E3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SIHB16N50C-E3

SIHB16N50C-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.