Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SIHB12N50E-GE3

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

2835342

Obraz SIHB12N50E-GE3.

Electro-Films (EFI) / Vishay

SIHB12N50E-GE3

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1+

$2.75

10+

$2.479

100+

$1.992

500+

$1.55

1000+

$1.284

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

SIHB12N50E-GE3
Producent / marka

Electro-Films (EFI) / Vishay
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N-CH 500V 10.5A TO-263
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

SIHB12N50E-GE3.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA
Vgs (maks.)

±30V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

D²PAK (TO-263)
Seria

-
RDS (Max) @ ID, Vgs

380 mOhm @ 6A, 10V
Strata mocy (max)

114W (Tc)
Opakowania

Bulk
Package / Case

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
temperatura robocza

-55°C ~ 150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

886pF @ 100V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

50nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

500V
szczegółowy opis

N-Channel 500V 10.5A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

10.5A (Tc)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „SIHB12N50E-GE3”.

SIHA25N60EFL-E3

SIHA25N60EFL-E3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 25A TO220

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHA2N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB15N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB12N50C-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 12A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHA24N65EF-E3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 650V 24A TO220

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB10N40D-GE3

Opis: MOSFET N-CH 400V 10A DPAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB12N60ET1-GE3

SIHB12N60ET1-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB15N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 15A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB16N50C-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 16A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB12N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB12N65E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Producenci: Vishay Siliconix

Na stanie

SIHB12N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB12N60ET5-GE3

SIHB12N60ET5-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 12A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHA6N65E-E3

Opis: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A TO220

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB18N60E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 600V 18A TO263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHB15N50E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO-263

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHA30N60AEL-GE3

SIHA30N60AEL-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 600V TO-220 FULLPA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHA4N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V FP TO-220

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHA6N80E-GE3

Opis: MOSFET N-CHAN 800V TO-220FP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

SIHA25N50E-E3

Opis: MOSFET N-CH 500V 26A TO-220FP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.