Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > VS-1N3672A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2313884Obraz VS-1N3672A.Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-1N3672A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
100+
$4.699
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    VS-1N3672A
  • Producent / marka
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 900V 12A DO203AA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    VS-1N3672A.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    12A
  • Napięcie - Podział
    DO-203AA
  • Seria
    -
  • Stan RoHS
    Bulk
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    DO-203AA, DO-4, Stud
  • Inne nazwy
    *1N3672A
    1N3672A
    1N3672A-ND
  • Rodzaj mocowania
    Chassis, Stud Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    10 Weeks
  • Numer części producenta
    VS-1N3672A
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 900V 12A Chassis, Stud Mount DO-203AA
  • Diode Configuration
    700µA @ 900V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 900V 12A DO203AA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.35V @ 12A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    900V
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 200°C

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „VS-1N3672A”.
VS-1N3768

VS-1N3768

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VS-1N3765

VS-1N3765

Opis: DIODE GEN PURP 700V 35A DO203AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VS-1N3766

VS-1N3766

Opis: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VS-1N3624

VS-1N3624

Opis: DIODE GEN PURP 700V 12A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3768R

VS-1N3768R

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 35A DO203AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VS-1N3214R

VS-1N3214R

Opis: DIODE GEN PURP 600V 15A DO203AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3671A

VS-1N3671A

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3671RA

VS-1N3671RA

Opis: DIODE GEN PURP 800V 12A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3673A

VS-1N3673A

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VS-1N3214

VS-1N3214

Opis: DIODE GEN PURP 600V 15A DO203AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3673RA

VS-1N3673RA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 12A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3213

VS-1N3213

Opis: DIODE GEN PURP 500V 15A DO203AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3624R

VS-1N3624R

Opis: DIODE GEN PURP 700V 12A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3212

VS-1N3212

Opis: DIODE GEN PURP 400V 15A DO203AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VS-1N3766R

VS-1N3766R

Opis: DIODE GEN PURP 800V 35A DO203AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VS-1N3767

VS-1N3767

Opis: DIODE GEN PURP 900V 35A DO203AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
VS-1N3670A

VS-1N3670A

Opis: DIODE GEN PURP 700V 12A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3879R

VS-1N3879R

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3212R

VS-1N3212R

Opis: DIODE GEN PURP 400V 15A DO203AB

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
VS-1N3879

VS-1N3879

Opis: DIODE GEN PURP 50V 6A DO203AA

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.