Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > UH6PJHM3/87A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
91961Obraz UH6PJHM3/87A.Vishay Semiconductor Diodes Division

UH6PJHM3/87A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    UH6PJHM3/87A
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE 6A 600V TO-277A SMPC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    6A
  • Napięcie - Podział
    TO-277A (SMPC)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    -
  • Polaryzacja
    TO-277, 3-PowerDFN
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Numer części producenta
    UH6PJHM3/87A
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 600V 6A Surface Mount TO-277A (SMPC)
  • Diode Configuration
    10µA @ 600V
  • Opis
    DIODE 6A 600V TO-277A SMPC
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    3V @ 6A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    600V
  • Pojemność @ VR F
    -55°C ~ 175°C
UH6PDHM3_A/H

UH6PDHM3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
UH6PDHM3/86A

UH6PDHM3/86A

Opis: DIODE 6A 200V TO-277A SMPC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
UH6PJ-M3/87A

UH6PJ-M3/87A

Opis: DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
SUF15G-E3/73

SUF15G-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1.5A GP20

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
EGF1AHE3_A/I

EGF1AHE3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
UH6PD-M3/87A

UH6PD-M3/87A

Opis: DIODE 6A 200V TO-277A SMPC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
CGRA4002-G

CGRA4002-G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
UH6PJHM3_A/I

UH6PJHM3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
DB2141300L

DB2141300L

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 2A SMINI2

Producenci: Panasonic
Na stanie
UH6PD-M3H/I

UH6PD-M3H/I

Opis: DIODE GEN PURP 6A TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
UH6PJHM3/86A

UH6PJHM3/86A

Opis: DIODE 6A 600V TO-277A SMPC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
UH6PD-M3/86A

UH6PD-M3/86A

Opis: DIODE 6A 200V TO-277A SMPC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
UH6PDHM3_A/I

UH6PDHM3_A/I

Opis: DIODE GEN PURP 200V 6A TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
ES2C

ES2C

Opis: DIODE GEN PURP 150V 2A DO214AA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
BYT53F-TAP

BYT53F-TAP

Opis: DIODE AVALANCHE 300V 1.9A SOD57

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RGP15BHE3/73

RGP15BHE3/73

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1.5A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RBR3LAM40BTFTR

RBR3LAM40BTFTR

Opis: AUTOMOTIVE SCHOTTKY BARRIER DIOD

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
UH6PJHM3_A/H

UH6PJHM3_A/H

Opis: DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
UH6PDHM3/87A

UH6PDHM3/87A

Opis: DIODE 6A 200V TO-277A SMPC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
UH6PJ-M3/86A

UH6PJ-M3/86A

Opis: DIODE GEN PURP 600V 6A TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść