Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > TPC8.2AHM3_A/H
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6536394

TPC8.2AHM3_A/H

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1500+
$0.455
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TPC8.2AHM3_A/H
  • Producent / marka
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE SMPC TO-277A
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TPC8.2AHM3_A/H.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    1
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    7.79V
  • Napięcie - podziały (min)
    7.02V
  • Napięcie - Podział
    TO-277A (SMPC)
  • Rodzaj
    Zener
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101, PAR®, eSMP®
  • Stan RoHS
    Tape & Reel (TR)
  • Ripple Current - niska częstotliwość
    Automotive
  • Ochrona linii zasilających
    1500W (1.5kW)
  • Moc - Peak Pulse
    124A
  • Polaryzacja
    TO-277, 3-PowerDFN
  • temperatura robocza
    -65°C ~ 185°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    36 Weeks
  • Numer części producenta
    TPC8.2AHM3_A/H
  • Opis
    TVS DIODE SMPC TO-277A
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    12.1V
  • Pojemność @ Częstotliwość
    -
  • Kanały dwukierunkowe
    No

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TPC8.2AHM3_A/H”.
TPC7.5AHM3/87A

TPC7.5AHM3/87A

Opis: TVS DIODE 6.4V 11.3V TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TPC8022-H(TE12LQ,M

TPC8022-H(TE12LQ,M

Opis: MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC8014(TE12L,Q,M)

TPC8014(TE12L,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC7.5HM3/87A

TPC7.5HM3/87A

Opis: TVS DIODE 6.05V 11.7V TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TPC8.2AHM3_A/I

TPC8.2AHM3_A/I

Opis: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TPC8018-H(TE12LQM)

TPC8018-H(TE12LQM)

Opis: MOSFET N-CH 30V 18A SOP8 2-6J1B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC8026(TE12L,Q,M)

TPC8026(TE12L,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC7.5HM3/86A

TPC7.5HM3/86A

Opis: TVS DIODE 6.05VWM 11.7VC SMPC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
TPC8.2HM3/87A

TPC8.2HM3/87A

Opis: TVS DIODE 6.63V 12.5V TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TPC7.5AHM3_A/I

TPC7.5AHM3_A/I

Opis: TVS DIODE 6.4V 11.3V TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TPC8031-H(TE12LQM)

TPC8031-H(TE12LQM)

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC8.2HM3/86A

TPC8.2HM3/86A

Opis: TVS DIODE 6.63VWM 12.5VC SMPC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
TPC8.2AHM3/87A

TPC8.2AHM3/87A

Opis: TVS DIODE 7.02V 12.1V TO277A

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
TPC6901(TE85L,F,M)

TPC6901(TE85L,F,M)

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 6VS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC8021-H(TE12LQ,M

TPC8021-H(TE12LQ,M

Opis: MOSFET N-CH 30V 11A SOP8 2-6J1B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC7.5AHM3/86A

TPC7.5AHM3/86A

Opis: TVS DIODE 6.4VWM 11.3VC SMPC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
TPC7.5AHM3_A/H

TPC7.5AHM3_A/H

Opis: TVS DIODE SMPC TO-277A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
TPC6503(TE85L,F,M)

TPC6503(TE85L,F,M)

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC8012-H(TE12L,Q)

TPC8012-H(TE12L,Q)

Opis: MOSFET N-CH 200V 1.8A 8-SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPC8.2AHM3/86A

TPC8.2AHM3/86A

Opis: TVS DIODE 7.02VWM 12.1VC SMPC

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.