Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > RGF1K-E3/67A
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2913785Obraz RGF1K-E3/67A.Vishay Semiconductor Diodes Division

RGF1K-E3/67A

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.47
10+
$0.406
25+
$0.378
100+
$0.303
250+
$0.281
500+
$0.238
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RGF1K-E3/67A
  • Producent / marka
    Vishay General Semiconductor – Diodes Division
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.RGF1K-E3/67A.pdf
    2.RGF1K-E3/67A.pdf
  • Napięcie - Szczyt Rewers (Max)
    Standard
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1A
  • Napięcie - Podział
    DO-214BA (GF1)
  • Seria
    SUPERECTIFIER®
  • Stan RoHS
    Cut Tape (CT)
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Odporność @ Jeżeli F
    8.5pF @ 4V, 1MHz
  • Polaryzacja
    DO-214BA
  • Inne nazwy
    RGF1K-E3/67AGICT
  • Temperatura pracy - złącze
    500ns
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Numer części producenta
    RGF1K-E3/67A
  • Rozszerzony opis
    Diode Standard 800V 1A Surface Mount DO-214BA (GF1)
  • Diode Configuration
    5µA @ 800V
  • Opis
    DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1.3V @ 1A
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io) (za Diode)
    800V
  • Pojemność @ VR F
    -65°C ~ 175°C

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RGF1K-E3/67A”.
RGF1MHE3/5CA

RGF1MHE3/5CA

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RGF1M

RGF1M

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A SMA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RGF1M-E3/67A

RGF1M-E3/67A

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RGF1K

RGF1K

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A SMA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RGF1MHE3_A/I

RGF1MHE3_A/I

Opis: DIODE 1000V SMD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RGF1KHE3/67A

RGF1KHE3/67A

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RGF1G-E3/67A

RGF1G-E3/67A

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RGF1DHE3/67A

RGF1DHE3/67A

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RGFRA1903041A1T

RGFRA1903041A1T

Opis: RF ANT 2.4GHZ CHIP SOLDER SMD

Producenci: Walsin Technology
Na stanie
RFQ
RGF1JHE3/67A

RGF1JHE3/67A

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RGF1J-E3/5CA

RGF1J-E3/5CA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RGF1JHE3/5CA

RGF1JHE3/5CA

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RGF1J

RGF1J

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RGF1G

RGF1G

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Fairchild/ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
RGF1J-E3/67A

RGF1J-E3/67A

Opis: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RGF1GHE3/67A

RGF1GHE3/67A

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RGF1KHE3_A/H

RGF1KHE3_A/H

Opis: DIODE 800V SMD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RGF1MHE3_A/H

RGF1MHE3_A/H

Opis: DIODE 1000V SMD

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RGF1D-E3/67A

RGF1D-E3/67A

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
RGF1MHE3/67A

RGF1MHE3/67A

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.