Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TPH3202LD
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2715749Obraz TPH3202LD.Transphorm

TPH3202LD

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$12.65
10+
$11.385
25+
$10.373
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TPH3202LD
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 9A PQFN
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Vgs (maks.)
    ±18V
  • Technologia
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PQFN (8x8)
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    350 mOhm @ 5.5A, 8V
  • Strata mocy (max)
    65W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    4-PowerDFN
  • temperatura robocza
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    760pF @ 480V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    9.3nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    8V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 9A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    9A (Tc)
TPH2900ENH,L1Q

TPH2900ENH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 200V 33A SOP8

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
TPH3202PD

TPH3202PD

Opis: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Producenci: Transphorm
Na stanie
TPH3206LSB

TPH3206LSB

Opis: MOSFET N-CH 650V 16A PQFN

Producenci: Transphorm
Na stanie
TPH3202LS

TPH3202LS

Opis: MOSFET N-CH 600V 9A PQFN

Producenci: Transphorm
Na stanie
TPH3206LS

TPH3206LS

Opis: MOSFET N-CH 600V 17A PQFN

Producenci: Transphorm
Na stanie
TPH3205WSBQA

TPH3205WSBQA

Opis: MOSFET N-CH 650V 35A TO247

Producenci: Transphorm
Na stanie
TPH3206LDB

TPH3206LDB

Opis: MOSFET N-CH 650V 16A PQFN

Producenci: Transphorm
Na stanie
TPH1400ANH,L1Q

TPH1400ANH,L1Q

Opis: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
TPH2R506PL,L1Q

TPH2R506PL,L1Q

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
TPH2R608NH,L1Q

TPH2R608NH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 75V 150A SOP8

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
TPH1R712MD,L1Q

TPH1R712MD,L1Q

Opis: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
TPH1R403NL,L1Q

TPH1R403NL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
TPH3206LDGB

TPH3206LDGB

Opis: MOSFET N-CH 650V 16A PQFN

Producenci: Transphorm
Na stanie
TPH1R005PL,L1Q

TPH1R005PL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 45V 150A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
TPH3206LD

TPH3206LD

Opis: MOSFET N-CH 600V 17A PQFN

Producenci: Transphorm
Na stanie
TPH3202PS

TPH3202PS

Opis: MOSFET N-CH 600V 9A TO220

Producenci: Transphorm
Na stanie
TPH2010FNH,L1Q

TPH2010FNH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
TPH1R204PL,L1Q

TPH1R204PL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 40V 150A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
TPH2R306NH,L1Q

TPH2R306NH,L1Q

Opis: MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
TPH3205WSB

TPH3205WSB

Opis: MOSFET N-CH 650V 36A TO247

Producenci: Transphorm
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść