Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TPHR9003NL,L1Q
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6395588Obraz TPHR9003NL,L1Q.Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR9003NL,L1Q

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
5000+
$0.972
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TPHR9003NL,L1Q
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TPHR9003NL,L1Q.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2.3V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOP Advance (5x5)
  • Seria
    U-MOSVIII-H
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    0.9 mOhm @ 30A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.6W (Ta), 78W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    8-PowerVDFN
  • Inne nazwy
    TPHR9003NL,L1Q(M
    TPHR9003NL,L1QTR
    TPHR9003NL,L1QTR-ND
    TPHR9003NLL1QTR
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    6900pF @ 15V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    74nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    30V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 30V 60A (Tc) 1.6W (Ta), 78W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    60A (Tc)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TPHR9003NL,L1Q”.
TPHCS250-M

TPHCS250-M

Opis: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPHCS250-E

TPHCS250-E

Opis: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPHCS250-ML

TPHCS250-ML

Opis: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPH8R80ANH,L1Q

TPH8R80ANH,L1Q

Opis: MOSFET N CH 100V 32A 8-SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPHCS800-EL

TPHCS800-EL

Opis: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPHR8504PL,L1Q

TPHR8504PL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 40V 150A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPH8R008NH,L1Q

TPH8R008NH,L1Q

Opis: MOSFET N CH 80V 34A SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPHCS-B-M

TPHCS-B-M

Opis: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPHCS800-ML

TPHCS800-ML

Opis: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPHCS800-E

TPHCS800-E

Opis: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPHR9203PL,L1Q

TPHR9203PL,L1Q

Opis: X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPHCS-B-ML

TPHCS-B-ML

Opis: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPHCS250-EL

TPHCS250-EL

Opis: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPHR6503PL,L1Q

TPHR6503PL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 30V 150A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPHCS250-P

TPHCS250-P

Opis: FUSE HLDR BLADE 80V 250A CHASS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPHCS-B-EL

TPHCS-B-EL

Opis: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPHCS800-M

TPHCS800-M

Opis: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPHCS800-P

TPHCS800-P

Opis: FUSE HLDR BLADE 80V 800A CHASS

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPH8R903NL,LQ

TPH8R903NL,LQ

Opis: MOSFET N CH 30V 20A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPHCS-B-E

TPHCS-B-E

Opis: BASE FOR TPHCS FUSEHOLDER/SWITCH

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.