Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TPH1110FNH,L1Q
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1084470Obraz TPH1110FNH,L1Q.Toshiba Semiconductor and Storage

TPH1110FNH,L1Q

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.96
10+
$1.771
100+
$1.423
500+
$1.107
1000+
$0.917
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TPH1110FNH,L1Q
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 250V 15A 8-SOP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TPH1110FNH,L1Q.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 300µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    8-SOP Advance (5x5)
  • Seria
    U-MOSVIII-H
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    112 mOhm @ 5A, 10V
  • Strata mocy (max)
    1.6W (Ta), 57W (Tc)
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    8-PowerVDFN
  • Inne nazwy
    TPH1110FNH,L1QCT
    TPH1110FNH,L1QCT-ND
    TPH1110FNHL1QCT
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    1100pF @ 100V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    11nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    250V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 250V 10A (Ta) 1.6W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TPH1110FNH,L1Q”.
TPH-300

TPH-300

Opis: FUSE CRTRDGE 300A 170VDC CYLINDR

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPH2900ENH,L1Q

TPH2900ENH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 200V 33A SOP8

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPH-500

TPH-500

Opis: FUSE CRTRDGE 500A 170VDC CYLINDR

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPH2010FNH,L1Q

TPH2010FNH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 250V 5.6A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPH-450

TPH-450

Opis: FUSE CRTRDGE 450A 170VDC CYLINDR

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPH-400

TPH-400

Opis: FUSE CRTRDGE 400A 170VDC CYLINDR

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPH1R204PL,L1Q

TPH1R204PL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 40V 150A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPH1R005PL,L1Q

TPH1R005PL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 45V 150A

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPH11006NL,LQ

TPH11006NL,LQ

Opis: MOSFET N-CH 60V 17A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPH-70

TPH-70

Opis: FUSE CRTRDGE 70A 170VDC CYLINDR

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPH-80

TPH-80

Opis: FUSE CRTRDGE 80A 170VDC CYLINDR

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPH1R403NL,L1Q

TPH1R403NL,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPH1110ENH,L1Q

TPH1110ENH,L1Q

Opis: MOSFET N-CH 200V 7.2A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPH2R306NH,L1Q

TPH2R306NH,L1Q

Opis: MOSFET N CH 60V 60A SOP ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPH12008NH,L1Q

TPH12008NH,L1Q

Opis: MOSFET N CH 80V 24A SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPH1R712MD,L1Q

TPH1R712MD,L1Q

Opis: MOSFET P-CH 20V 60A 8SOP ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPH1400ANH,L1Q

TPH1400ANH,L1Q

Opis: MOSFET N CH 100V 24A 8-SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPH-600

TPH-600

Opis: FUSE CRTRDGE 600A 170VDC CYLINDR

Producenci: Bussmann (Eaton)
Na stanie
RFQ
TPH11003NL,LQ

TPH11003NL,LQ

Opis: MOSFET N CH 30V 32A 8SOP

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TPH14006NH,L1Q

TPH14006NH,L1Q

Opis: MOSFET N CH 60V 14A 8-SOP ADV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.