Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TK6Q60W,S1VQ
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4921411Obraz TK6Q60W,S1VQ.Toshiba Semiconductor and Storage

TK6Q60W,S1VQ

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
75+
$1.85
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TK6Q60W,S1VQ
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N CH 600V 6.2A IPAK
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TK6Q60W,S1VQ.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.7V @ 310µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    I-PAK
  • Seria
    DTMOSIV
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    820 mOhm @ 3.1A, 10V
  • Strata mocy (max)
    60W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3 Stub Leads, IPak
  • Inne nazwy
    TK6Q60W,S1VQ(S
    TK6Q60WS1VQ
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    390pF @ 300V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    12nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    Super Junction
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 6.2A (Ta) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    6.2A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TK6Q60W,S1VQ”.
TK6P65W,RQ

TK6P65W,RQ

Opis: MOSFET N-CH 650V 5.8A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6767

TK6767

Opis: SAFETY TAPE KIT-CONSUMER VERSION

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
TK6A65D(STA4,Q,M)

TK6A65D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK65S04K3L(T6L1,NQ

TK65S04K3L(T6L1,NQ

Opis: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6P53D(T6RSS-Q)

TK6P53D(T6RSS-Q)

Opis: MOSFET N-CH 525V 6A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6A65W,S5X

TK6A65W,S5X

Opis: MOSFET N-CH 650V 5.8A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6A55DA(STA4,Q,M)

TK6A55DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 550V 5.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6R7P06PL,RQ

TK6R7P06PL,RQ

Opis: MOSFET N-CHANNEL 60V 46A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6A60D(STA4,Q,M)

TK6A60D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 6A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6A45DA(STA4,Q,M)

TK6A45DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 450V 5.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK65G10N1,RQ

TK65G10N1,RQ

Opis: MOSFET N-CH 100V 65A D2PAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK65S04N1L,LQ

TK65S04N1L,LQ

Opis: MOSFET N-CH 40V 65A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK65A10N1,S4X

TK65A10N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 100V 65A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6A60W,S4VX

TK6A60W,S4VX

Opis: MOSFET N CH 600V 6.2A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6A50D(STA4,Q,M)

TK6A50D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 500V 6A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6Q65W,S1Q

TK6Q65W,S1Q

Opis: MOSFET N-CH 650V 5.8A IPAK-OS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6A53D(STA4,Q,M)

TK6A53D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 525V 6A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK65E10N1,S1X

TK65E10N1,S1X

Opis: MOSFET N CH 100V 148A TO220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6A80E,S4X

TK6A80E,S4X

Opis: MOSFET N-CH 800V TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK6P60W,RVQ

TK6P60W,RVQ

Opis: MOSFET N CH 600V 6.2A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.