Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TK58A06N1,S4X
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4627374Obraz TK58A06N1,S4X.Toshiba Semiconductor and Storage

TK58A06N1,S4X

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$1.55
50+
$1.236
100+
$1.082
500+
$0.839
1000+
$0.662
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TK58A06N1,S4X
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 60V 58A TO-220
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TK58A06N1,S4X.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    4V @ 500µA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220SIS
  • Seria
    U-MOSVIII-H
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    5.4 mOhm @ 29A, 10V
  • Strata mocy (max)
    35W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3 Full Pack
  • Inne nazwy
    TK58A06N1,S4X(S
    TK58A06N1,S4X-ND
    TK58A06N1S4X
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3400pF @ 30V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    46nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 60V 58A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    58A (Tc)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TK58A06N1,S4X”.
TK5A60D(STA4,Q,M)

TK5A60D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK55S10N1,LQ

TK55S10N1,LQ

Opis: MOSFET N-CH 100V 55A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK560P65Y,RQ

TK560P65Y,RQ

Opis: MOSFET N-CHANNEL 650V 7A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK55D10J1(Q)

TK55D10J1(Q)

Opis: MOSFET N-CH 100V 55A TO220W

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK56A12N1,S4X

TK56A12N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 120V 56A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK5A50D(STA4,Q,M)

TK5A50D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 500V 5A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK58E06N1,S1X

TK58E06N1,S1X

Opis: MOSFET N CH 60V 58A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK5A53D(STA4,Q,M)

TK5A53D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 525V 5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK5735

TK5735

Opis: CRAFTING TAPE KIT

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
TK560A60Y,S4X

TK560A60Y,S4X

Opis: MOSFET N-CH 600V 7A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK56E12N1,S1X

TK56E12N1,S1X

Opis: MOSFET N CH 120V 56A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK5A55D(STA4,Q,M)

TK5A55D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 550V 5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK5A60W,S4VX

TK5A60W,S4VX

Opis: MOSFET N CH 600V 5.4A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK5A65DA(STA4,Q,M)

TK5A65DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 650V 4.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK5A45DA(STA4,Q,M)

TK5A45DA(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK560A65Y,S4X

TK560A65Y,S4X

Opis: MOSFET N-CH 650V 7A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK56

TK56

Opis: 3M PELTOR REMOTE RING FI

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
TK560P60Y,RQ

TK560P60Y,RQ

Opis: MOSFET N-CHANNEL 600V 7A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK5959

TK5959

Opis: MRO TAPE KIT - STANDARD

Producenci: 3M
Na stanie
RFQ
TK5A65D(STA4,Q,M)

TK5A65D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 650V 5A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.