Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TK10A60W,S4VX
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4561391Obraz TK10A60W,S4VX.Toshiba Semiconductor and Storage

TK10A60W,S4VX

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$3.22
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TK10A60W,S4VX
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TK10A60W,S4VX.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3.7V @ 500µA
  • Vgs (maks.)
    ±30V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220SIS
  • Seria
    DTMOSIV
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    380 mOhm @ 4.9A, 10V
  • Strata mocy (max)
    30W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-220-3 Full Pack
  • Inne nazwy
    TK10A60W,S4VX(M
    TK10A60WS4VX
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    700pF @ 300V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    20nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    N-Channel
  • Cecha FET
    Super Junction
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    600V
  • szczegółowy opis
    N-Channel 600V 9.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    9.7A (Ta)

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TK10A60W,S4VX”.
TK10A50D(STA4,Q,M)

TK10A50D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK10A80E,S4X

TK10A80E,S4X

Opis: MOSFET N-CH 800V TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK10S04K3L(T6L1,NQ

TK10S04K3L(T6L1,NQ

Opis: MOSFET N-CH 40V 10A DPAK-3

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK100E06N1,S1X

TK100E06N1,S1X

Opis: MOSFET N CH 60V 100A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK10Q60W,S1VQ

TK10Q60W,S1VQ

Opis: MOSFET N-CH 600V 9.7A IPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK10J80E,S1E

TK10J80E,S1E

Opis: MOSFET N-CH 800V TO-3PN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK10A60W5,S5VX

TK10A60W5,S5VX

Opis: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK10E60W,S1VX

TK10E60W,S1VX

Opis: MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK10A80W,S4X

TK10A80W,S4X

Opis: MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK10A55D(STA4,Q,M)

TK10A55D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK10V60W,LVQ

TK10V60W,LVQ

Opis: MOSFET N-CH 600V 9.7A 5DFN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK10A60W,S4X

TK10A60W,S4X

Opis: MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK10A60D(STA4,Q,M)

TK10A60D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK100A10N1,S4X

TK100A10N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK100S04N1L,LQ

TK100S04N1L,LQ

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK100L60W,VQ

TK100L60W,VQ

Opis: MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK10A60E,S4X

TK10A60E,S4X

Opis: MOSFET N-CH 600V TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK100E10N1,S1X

TK100E10N1,S1X

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A TO220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK100E08N1,S1X

TK100E08N1,S1X

Opis: MOSFET N-CH 80V 100A TO220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
TK10P60W,RVQ

TK10P60W,RVQ

Opis: MOSFET N CH 600V 9.7A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.