Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TK100E06N1,S1X

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

5314693

Obraz TK100E06N1,S1X.

Toshiba Semiconductor and Storage

TK100E06N1,S1X

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1+

$2.87

50+

$2.317

100+

$2.086

500+

$1.622

1000+

$1.344

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

TK100E06N1,S1X
Producent / marka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

MOSFET N CH 60V 100A TO-220
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

TK100E06N1,S1X.pdf
VGS (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA
Vgs (maks.)

±20V
Technologia

MOSFET (Metal Oxide)
Dostawca urządzeń Pakiet

TO-220
Seria

U-MOSVIII-H
RDS (Max) @ ID, Vgs

2.3 mOhm @ 50A, 10V
Strata mocy (max)

255W (Tc)
Opakowania

Tube
Package / Case

TO-220-3
Inne nazwy

TK100E06N1,S1X(S
TK100E06N1S1X
temperatura robocza

150°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Through Hole
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds

10500pF @ 30V
Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs

140nC @ 10V
Rodzaj FET

N-Channel
Cecha FET

-
Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Spust do źródła napięcia (Vdss)

60V
szczegółowy opis

N-Channel 60V 100A (Ta) 255W (Tc) Through Hole TO-220
Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C

100A (Ta)

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „TK100E06N1,S1X”.

TK10A60E,S4X

Opis: MOSFET N-CH 600V TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK100A10N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK1-L2-4.5V

Opis: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Producenci: Panasonic

Na stanie

TK1005800000G

TK1005800000G

Opis: 500 TB WIR PRO 180D SOL

Producenci: Anytek (Amphenol Anytek)

Na stanie

TK1-L2-6V

Opis: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Producenci: Panasonic

Na stanie

TK10A55D(STA4,Q,M)

TK10A55D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 550V 10A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK100E08N1,S1X

Opis: MOSFET N-CH 80V 100A TO220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK10A50D(STA4,Q,M)

TK10A50D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 500V 10A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK10A60W,S4VX

Opis: MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK1-L2-5V

Opis: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Producenci: Panasonic

Na stanie

TK100L60W,VQ

Opis: MOSFET N CH 600V 100A TO3P(L)

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK100S04N1L,LQ

TK100S04N1L,LQ

Opis: MOSFET N-CH 40V 100A DPAK

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK100E10N1,S1X

Opis: MOSFET N-CH 100V 100A TO220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK1-L2-3V

Opis: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Producenci: Panasonic

Na stanie

TK100A08N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 80V 214A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK100A06N1,S4X

Opis: MOSFET N-CH 60V 100A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK1-L2-9V

Opis: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Producenci: Panasonic

Na stanie

TK1-L2-24V

Opis: RELAY GEN PURPOSE SPDT 2A 220V

Producenci: Panasonic

Na stanie

TK10A60D(STA4,Q,M)

TK10A60D(STA4,Q,M)

Opis: MOSFET N-CH 600V 10A TO220SIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

TK10A60W,S4X

Opis: MOSFET N CH 600V 9.7A TO-220

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.