Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > TJ30S06M3L(T6L1,NQ
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
449503

TJ30S06M3L(T6L1,NQ

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
2000+
$0.733
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TJ30S06M3L(T6L1,NQ
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 60V 30A DPAK-3
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf
    2.TJ30S06M3L(T6L1,NQ.pdf
  • Model ECAD
  • VGS (th) (Max) @ Id
    3V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    +10V, -20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DPAK+
  • Seria
    U-MOSVI
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    21.8 mOhm @ 15A, 10V
  • Strata mocy (max)
    68W (Tc)
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Inne nazwy
    TJ30S06M3L(T6L1NQ
    TJ30S06M3LT6L1NQ
  • temperatura robocza
    175°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    3950pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    80nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 30A (Ta) 68W (Tc) Surface Mount DPAK+
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    30A (Ta)

NEPCON JAPAN 2025 Concludes Successfully, Driving Innovatio...

2025/01/26

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TJ30S06M3L(T6L1,NQ”.
NVTFS5811NLTAG

NVTFS5811NLTAG

Opis: MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRFD9120PBF

IRFD9120PBF

Opis: MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
SUM90220E-GE3

SUM90220E-GE3

Opis: MOSFET N-CH 200V 64A D2PAK

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
FQP6N60C_F080

FQP6N60C_F080

Opis: MOSFET N-CH 600V 5.5A TO-220

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
APTM100UM65SAG

APTM100UM65SAG

Opis: MOSFET N-CH 1000V 145A SP6

Producenci: Microsemi
Na stanie
RFQ
ZXMP3A13FTA

ZXMP3A13FTA

Opis: MOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
RFQ
FQPF6P25

FQPF6P25

Opis: MOSFET P-CH 250V 4.2A TO-220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BUK7623-75A,118

BUK7623-75A,118

Opis: MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK

Producenci: Nexperia
Na stanie
RFQ
AOT15S60L

AOT15S60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 15A TO220

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
NP83P04PDG-E1-AY

NP83P04PDG-E1-AY

Opis: MOSFET P-CH 40V 83A TO-263

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
NTH027N65S3F-F155

NTH027N65S3F-F155

Opis: SF3 FRFET 650V 27MOHM

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NTR4101PT1H

NTR4101PT1H

Opis: MOSFET P-CH 20V 3.2A SOT23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
IRF1324STRLPBF

IRF1324STRLPBF

Opis: MOSFET N-CH 24V 195A D2PAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
IPSH4N03LA G

IPSH4N03LA G

Opis: MOSFET N-CH 25V 90A IPAK

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
FCPF9N60NT

FCPF9N60NT

Opis: MOSFET N-CH 600V 9A TO220F

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
AOT11C60L

AOT11C60L

Opis: MOSFET N-CH 600V 11A TO220

Producenci: Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Na stanie
RFQ
1HP04CH-TL-W

1HP04CH-TL-W

Opis: MOSFET P-CH 100V 0.17A SOT-23

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
NVMFS6H800NWFT1G

NVMFS6H800NWFT1G

Opis: TRENCH 8 80V NFET

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
BSC037N08NS5ATMA1

BSC037N08NS5ATMA1

Opis: MOSFET N-CH 80V 100A 8TDSON

Producenci: Infineon Technologies
Na stanie
RFQ
IPB70P04P409ATMA1

IPB70P04P409ATMA1

Opis: MOSFET N-CH TO263-3

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiAktualnościMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.