Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze, wst > RN2316(TE85L,F)
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6364207Obraz RN2316(TE85L,F).Toshiba Semiconductor and Storage

RN2316(TE85L,F)

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.048
6000+
$0.042
15000+
$0.036
30000+
$0.034
75000+
$0.032
150000+
$0.028
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RN2316(TE85L,F)
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RN2316(TE85L,F).pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Typ tranzystora
    PNP - Pre-Biased
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    USM
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    10 kOhms
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    4.7 kOhms
  • Moc - Max
    100mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC-70, SOT-323
  • Inne nazwy
    RN2316(TE85LF)
    RN2316(TE85LF)-ND
    RN2316(TE85LF)TR
    RN2316TE85LF
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    16 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    200MHz
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    50 @ 10mA, 5V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    500nA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA
  • Podstawowy numer części
    RN231*

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RN2316(TE85L,F)”.
RN2311(TE85L,F)

RN2311(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN232-1.6-02

RN232-1.6-02

Opis: COMMON MODE CHOKE 10MH 1.6A

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN232-2.5-02-5M6

RN232-2.5-02-5M6

Opis: CMC 5.6MH 2.5A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN2310,LF

RN2310,LF

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN232-2.5-02

RN232-2.5-02

Opis: COMMON MODE CHOKE 5.6MH 2.5A

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN2318(TE85L,F)

RN2318(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2315TE85LF

RN2315TE85LF

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W SC-70

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2309(TE85L,F)

RN2309(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN232-0.6-02

RN232-0.6-02

Opis: COMMON MODE CHOKE 47MH 600MA

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN2314(TE85L,F)

RN2314(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2307(TE85L,F)

RN2307(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2308(TE85L,F)

RN2308(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2313(TE85L,F)

RN2313(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN232-1-02

RN232-1-02

Opis: COMMON MODE CHOKE 18MH 1A

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN232-1-02-18M

RN232-1-02-18M

Opis: CMC 18MH 1A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN2312(TE85L,F)

RN2312(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN232-1.6-02-10M

RN232-1.6-02-10M

Opis: CMC 10MH 1.6A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN2317(TE85L,F)

RN2317(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN2310(TE85L,F)

RN2310(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN232-0.6-02-47M

RN232-0.6-02-47M

Opis: CMC 47MH 600MA 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.