Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - pojedyncze, wst > RN1417(TE85L,F)
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
647744

RN1417(TE85L,F)

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    RN1417(TE85L,F)
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    RN1417(TE85L,F).pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    50V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Typ tranzystora
    NPN - Pre-Biased
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    S-Mini
  • Seria
    -
  • Rezystor - podstawa nadajnika (R2)
    4.7 kOhms
  • Rezystor - Podstawa (R1)
    10 kOhms
  • Moc - Max
    200mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Inne nazwy
    RN1417(TE85LF)TR
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    250MHz
  • szczegółowy opis
    Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    30 @ 10mA, 5V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    500nA
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    100mA

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „RN1417(TE85L,F)”.
RN141GT2R

RN141GT2R

Opis: DIODE PIN HF SW 50V 100MA VMD2

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RN142-1-02

RN142-1-02

Opis: COMMON MODE CHOKE 33MH 1A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN1418(TE85L,F)

RN1418(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1414,LF

RN1414,LF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN142-2-02

RN142-2-02

Opis: CMC 6.8MH 2A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN1406,LF

RN1406,LF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1416,LF

RN1416,LF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN142-1.4-02

RN142-1.4-02

Opis: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN1413(TE85L,F)

RN1413(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN142-1.4-02-27M

RN142-1.4-02-27M

Opis: CMC 27MH 1.4A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN1408,LF(B

RN1408,LF(B

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN142-0.5-02-82M

RN142-0.5-02-82M

Opis: CMC 82MH 500MA 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN142-0.5-02

RN142-0.5-02

Opis: CMC 82MH 500MA 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN142-1-02-33M

RN142-1-02-33M

Opis: CMC 33MH 1A 2LN TH

Producenci: Schaffner EMC, Inc.
Na stanie
RFQ
RN1409,LF

RN1409,LF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1405,LF

RN1405,LF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1406S,LF(D

RN1406S,LF(D

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.2W SMINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN1415(TE85L,F)

RN1415(TE85L,F)

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
RN141STE61

RN141STE61

Opis: DIODE FAST REC 50V 100MA 2EMD TR

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
RFQ
RN1412TE85LF

RN1412TE85LF

Opis: TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.