Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - Bipolar (BJT) - RF > MT3S111P(TE12L,F)

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

3862290

Obraz MT3S111P(TE12L,F).

Toshiba Semiconductor and Storage

MT3S111P(TE12L,F)

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

1+

$0.94

10+

$0.83

25+

$0.75

100+

$0.656

250+

$0.576

500+

$0.509

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

MT3S111P(TE12L,F)
Producent / marka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

MT3S111P(TE12L,F).pdf
Napięcie - kolektor emiter (Max)

6V
Typ tranzystora

NPN
Dostawca urządzeń Pakiet

PW-MINI
Seria

-
Moc - Max

1W
Opakowania

Cut Tape (CT)
Package / Case

TO-243AA
Inne nazwy

MT3S111P(TE12LF)CT
temperatura robocza

150°C (TJ)
Noise Figure (dB Typ @ f)

1.25dB @ 1GHz
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

12 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Zdobyć

10.5dB
Częstotliwość - Transition

8GHz
szczegółowy opis

RF Transistor NPN 6V 100mA 8GHz 1W Surface Mount PW-MINI
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 30mA, 5V
Obecny - Collector (Ic) (maks)

100mA

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „MT3S111P(TE12L,F)”.

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

Opis: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Producenci: Micron Technology

Na stanie

MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

Opis: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

MT3S20TU(TE85L)

MT3S20TU(TE85L)

Opis: TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

Opis: MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V

Producenci: Micron Technology

Na stanie

MT3B6115

Opis: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity

Na stanie

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

Opis: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

Producenci: Micron Technology

Na stanie

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

Opis: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

Producenci: Micron Technology

Na stanie

MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

Opis: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

Opis: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

Producenci: Micron Technology

Na stanie

MT3S113TU,LF

Opis: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

Opis: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

MT3S16U(TE85L,F)

MT3S16U(TE85L,F)

Opis: TRANS RF NPN 5V 1GHZ USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

Opis: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Producenci: Micron Technology

Na stanie

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

Opis: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

Producenci: Micron Technology

Na stanie

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

Opis: PARALLEL/PSRAM 48M

Producenci: Micron Technology

Na stanie

MT38W201DAA033JZZI.X68

MT38W201DAA033JZZI.X68

Opis: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

Producenci: Micron Technology

Na stanie

MT3B3024

Opis: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity

Na stanie

MT38W2011A90YZQXZI.X68

MT38W2011A90YZQXZI.X68

Opis: PARALLEL/PSRAM 80M

Producenci: Micron Technology

Na stanie

MT3S20P(TE12L,F)

MT3S20P(TE12L,F)

Opis: TRANS RF NPN 12V 1GHZ PW-MINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

MT3B30C4

MT3B30C4

Opis: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.