Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
129550

MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1000+
$2.419
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MCP 5MX16 PLASTIC VFBGA 1.8V
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Seria
    *
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Inne nazwy
    MT38W2011A90YZQXZI.X68 TR-ND
    MT38W2011A90YZQXZI.X68TR
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    Memory IC
MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

MT38W1011A90YZQXZI.XB8 TR

Opis: MCP X16 PLASTIC VFBGA 1.8V WIREL

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

MT38M5041A3034EZZI.XR6 TR

Opis: IC FLASH RAM 512M PARAL 56VFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT3S113TU,LF

MT3S113TU,LF

Opis: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
MT3S111(TE85L,F)

MT3S111(TE85L,F)

Opis: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

MT38Q2071A10CKKXAA.YHH TR

Opis: PARALLEL/MOBILE DDR 576M

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

MT38M5071A3063RZZI.YE8 TR

Opis: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT3B3024

MT3B3024

Opis: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
MT3B30C4

MT3B30C4

Opis: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 24V

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
MT3B6115

MT3B6115

Opis: RELAY GEN PURPOSE 3PDT 4A 115V

Producenci: Agastat Relays / TE Connectivity
Na stanie
MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

MT38W201DAA033JZZI.X68 TR

Opis: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND TEMP

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT3S111P(TE12L,F)

MT3S111P(TE12L,F)

Opis: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
MT38M5071A3063RZZI.YE8

MT38M5071A3063RZZI.YE8

Opis: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT38W2011A90YZQXZI.X68

MT38W2011A90YZQXZI.X68

Opis: PARALLEL/PSRAM 80M

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT38W201DAA033JZZI.X68

MT38W201DAA033JZZI.X68

Opis: MCP 5MX16 PLASTIC 2.0V IND

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT38M5041A3034EZZI.XR6

MT38M5041A3034EZZI.XR6

Opis: IC FLASH RAM 512M PARALLEL

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT38W1011A90YZQXZI.XB8

MT38W1011A90YZQXZI.XB8

Opis: PARALLEL/PSRAM 48M

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT3S113P(TE12L,F)

MT3S113P(TE12L,F)

Opis: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
MT38M4041A3034EZZI.XK6

MT38M4041A3034EZZI.XK6

Opis: IC FLASH RAM 256M PARALLEL

Producenci: Micron Technology
Na stanie
MT3S113(TE85L,F)

MT3S113(TE85L,F)

Opis: RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR

MT38M4041A3034EZZI.XK6 TR

Opis: IC FLASH RAM 256M PARAL 56VFBGA

Producenci: Micron Technology
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść