Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - Bipolar (BJT) - RF > HN3C10FUTE85LF
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
6234410Obraz HN3C10FUTE85LF.Toshiba Semiconductor and Storage

HN3C10FUTE85LF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    HN3C10FUTE85LF
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANSISTOR NPN US6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Model ECAD
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    12V
  • Typ tranzystora
    2 NPN (Dual)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    US6
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    200mW
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Inne nazwy
    HN3C10FU(TE85L,F)
    HN3C10FUTE85LFTR
  • temperatura robocza
    -
  • Noise Figure (dB Typ @ f)
    1.1dB @ 1GHz
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Zdobyć
    11.5dB
  • Częstotliwość - Transition
    7GHz
  • szczegółowy opis
    RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    80 @ 20mA, 10V
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    80mA
JAN2N2857

JAN2N2857

Opis: TRANS NPN 15V 0.04A TO-72

Producenci: Microsemi
Na stanie
2SC501900L

2SC501900L

Opis: TRANS NPN HF 10VCEO 80MA MINIPWR

Producenci: Panasonic
Na stanie
MS2210

MS2210

Opis: TRANS RF BIPO 940W 24A M216

Producenci: Microsemi
Na stanie
HN3X4LG6

HN3X4LG6

Opis: WIRE DUCT SLOTTED SCREW GRAY 6'

Producenci: Panduit
Na stanie
AT-30533-BLKG

AT-30533-BLKG

Opis: TRANS NPN BIPO 5.5V 8MA SOT-23

Producenci: Avago Technologies (Broadcom Limited)
Na stanie
HN3A51F(TE85L,F)

HN3A51F(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
NE68519-A

NE68519-A

Opis: RF TRANSISTOR NPN SOT-523

Producenci: CEL (California Eastern Laboratories)
Na stanie
HN3X3LG6

HN3X3LG6

Opis: WIRE DUCT SLOTTED SCREW GRAY 6'

Producenci: Panduit
Na stanie
MS1409

MS1409

Opis: TRANS RF BIPO 7W 1A TO39

Producenci: Microsemi
Na stanie
BFR92PE6327HTSA1

BFR92PE6327HTSA1

Opis: TRANSISTOR RF NPN 15V SOT-23

Producenci: International Rectifier (Infineon Technologies)
Na stanie
AT-41532-BLKG

AT-41532-BLKG

Opis: TRANS NPN BIPO 12V 50MA SOT-323

Producenci: Avago Technologies (Broadcom Limited)
Na stanie
HN3X4WH6

HN3X4WH6

Opis: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Producenci: Panduit
Na stanie
MDS140L

MDS140L

Opis: TRANS RF BIPO 500W 12A 55AW1

Producenci: Microsemi
Na stanie
MS2211

MS2211

Opis: TRANS RF BIPO 25W 900MA M222

Producenci: Microsemi
Na stanie
MS1015D

MS1015D

Opis: RF POWER TRANSISTOR

Producenci: Microsemi
Na stanie
HN3X3WH6

HN3X3WH6

Opis: WIRE DUCT SLOTTED SCREW WHITE 6'

Producenci: Panduit
Na stanie
MSC3930-BT1

MSC3930-BT1

Opis: TRANS NPN RF BIPO 20V SOT-323

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
HN3C51F-BL(TE85L,F

HN3C51F-BL(TE85L,F

Opis: TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
LM3046M

LM3046M

Opis: IC TRANSISTOR ARRAY 14-SOIC

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
HN3C51F-GR(TE85L,F

HN3C51F-GR(TE85L,F

Opis: TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść