Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice > HN1C03FU-A(TE85L,F
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3339439Obraz HN1C03FU-A(TE85L,F.Toshiba Semiconductor and Storage

HN1C03FU-A(TE85L,F

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.51
10+
$0.403
25+
$0.34
100+
$0.276
250+
$0.229
500+
$0.189
1000+
$0.142
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    HN1C03FU-A(TE85L,F
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TRANS 2NPN 20V 0.3A US6
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    HN1C03FU-A(TE85L,F.pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    20V
  • Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC
    100mV @ 3mA, 30mA
  • Typ tranzystora
    2 NPN (Dual)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    US6
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    200mW
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Inne nazwy
    HN1C03FU-A(TE85LFCT
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Częstotliwość - Transition
    30MHz
  • szczegółowy opis
    Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 200mW Surface Mount US6
  • DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce
    200 @ 4mA, 2V
  • Obecny - Collector odcięcia (Max)
    100nA (ICBO)
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    300mA

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „HN1C03FU-A(TE85L,F”.
HN1D01F(TE85L,F)

HN1D01F(TE85L,F)

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1D01FU,LF

HN1D01FU,LF

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1D04FUTE85LF

HN1D04FUTE85LF

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1C01FE-Y,LF

HN1C01FE-Y,LF

Opis: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1D01FE(TE85L,F)

HN1D01FE(TE85L,F)

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1B04FU-Y,LF

HN1B04FU-Y,LF

Opis: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

Opis: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1D03FU,LF

HN1D03FU,LF

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 80MA US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1D02FU(T5L,F,T)

HN1D02FU(T5L,F,T)

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1D03FTE85LF

HN1D03FTE85LF

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SC74

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1C01FE-GR,LF

HN1C01FE-GR,LF

Opis: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1D02FU,LF

HN1D02FU,LF

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1B04FU-GR,LF

HN1B04FU-GR,LF

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1C03F-B(TE85L,F)

HN1C03F-B(TE85L,F)

Opis: TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1C01FU-Y(T5L,F,T

HN1C01FU-Y(T5L,F,T

Opis: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1D02F(TE85L,F)

HN1D02F(TE85L,F)

Opis: DIODE ARRAY GP 80V 100MA SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1B04FE-Y,LF

HN1B04FE-Y,LF

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1C01FU-GR,LF

HN1C01FU-GR,LF

Opis: TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
HN1C01FYTE85LF

HN1C01FYTE85LF

Opis: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.