Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

*Nazwa firmy
*Nazwa
*Tytuł

*Adres e-mail
*Numer telefonu

*Kraj
*Okno kontaktu
*Data wydarzenia

*Wiadomość

Dla odwiedzających w Electronica 2024

WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.

Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - dwubiegunowe (BJT) - tablice > HN1B01FU-GR,LF

RFQs/ZAMÓWIENIE (0)

polski

polski

5197898

Obraz HN1B01FU-GR,LF.

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1B01FU-GR,LF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie

3000+

$0.06

Zapytanie online

Specyfikacje

Part Number

HN1B01FU-GR,LF
Producent / marka

TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
Wielkość zbiorów

Na stanie
Opis

TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6-PLN
Stan ołowiu / status RoHS

Bezołowiowa / zgodna z RoHS
Arkusze danych

HN1B01FU-GR,LF.pdf
Napięcie - kolektor emiter (Max)

50V
Vce Nasycenie (Max) @ IB, IC

250mV @ 10mA, 100mA
Typ tranzystora

NPN, PNP
Dostawca urządzeń Pakiet

US6
Seria

-
Moc - Max

200mW, 210mW
Opakowania

Tape & Reel (TR)
Package / Case

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Inne nazwy

HN1B01FU-GR(L,F,T)
HN1B01FU-GR,LF(B
HN1B01FU-GR,LF(T
HN1B01FU-GRLF
HN1B01FU-GRLF-ND
HN1B01FU-GRLFTR
HN1B01FUGRLFT
HN1B01FUGRLFTTR
HN1B01FUGRLFTTR-ND
temperatura robocza

125°C (TJ)
Rodzaj mocowania

Surface Mount
Poziom czułości na wilgoć (MSL)

1 (Unlimited)
Standardowy czas oczekiwania producenta

12 Weeks
Status bezołowiowy / status RoHS

Lead free / RoHS Compliant
Częstotliwość - Transition

150MHz
szczegółowy opis

Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 50V 150mA 150MHz 200mW, 210mW Surface Mount US6
DC Prąd Zysk (hFE) (min) @ Ic, Vce

200 @ 2mA, 6V
Obecny - Collector odcięcia (Max)

100nA (ICBO)
Obecny - Collector (Ic) (maks)

150mA

Powiązane wiadomości
Wysyłka 
Zapłata

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

The core value and future development trend of passive comp...

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

Wysyłka

Zapłata

Poniżej znajdują się produkty związane z „HN1B01FU-GR,LF”.

HN1C01FE-GR,LF

Opis: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

HN1A01FE-GR,LF

Opis: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

HN1B04FE-Y,LF

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

HN1A01FE-Y,LF

Opis: TRANS 2PNP 50V 0.15A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

HN1B01FU-Y(L,F,T)

HN1B01FU-Y(L,F,T)

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

HN1C01F-GR(TE85L,F

HN1C01F-GR(TE85L,F

Opis: TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

HN1B04F(TE85L,F)

HN1B04F(TE85L,F)

Opis: TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

HN1B04FU-Y(T5L,F,T

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

HN1B01F-GR(TE85L,F

HN1B01F-GR(TE85L,F

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

HN1B04FU-GR,LF

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

HN1B01FDW1T1G

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

HN1A01F-Y(TE85L,F)

HN1A01F-Y(TE85L,F)

Opis: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

HN1A01FU-Y,LF

Opis: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

HN1A01F-GR(TE85L,F

HN1A01F-GR(TE85L,F

Opis: TRANS 2PNP 50V 0.15A SM6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

HN1B04FE-GR,LF

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 0.15A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

HN1B01FDW1T1

Opis: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor

Na stanie

HN1C01FE-Y,LF

Opis: TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

HN1B04FU-Y,LF

Opis: X34 PB-F US6 PLN (LF) TRANSISTOR

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

HN1950520000G

HN1950520000G

Opis: TERM BLOCK PLUG 19POS STR 5.08MM

Producenci: Anytek (Amphenol Anytek)

Na stanie

HN1A01FU-GR,LF

Opis: TRANS 2PNP 50V 0.15A US6-PLN

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage

Na stanie

Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.

Podążaj za nami

Zasady i Warunki Polityka naruszenia Poprosić o wycenę O nas Skontaktuj się z nami Mapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.