Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - IGBT - pojedyncze > GT10J312(Q)
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
5916150

GT10J312(Q)

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    GT10J312(Q)
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IGBT 600V 10A 60W TO220SM
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    GT10J312(Q).pdf
  • Napięcie - kolektor emiter (Max)
    600V
  • Vce (on) (Max) @ VGE, IC
    2.7V @ 15V, 10A
  • Stan testu
    300V, 10A, 100 Ohm, 15V
  • Td (wł. / Wył.) @ 25 ° C
    400ns/400ns
  • Przełączanie Energy
    -
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TO-220SM
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    200ns
  • Moc - Max
    60W
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ wejścia
    Standard
  • Rodzaj IGBT
    -
  • szczegółowy opis
    IGBT 600V 10A 60W Surface Mount TO-220SM
  • Obecny - Collector impulsowe (ICM)
    20A
  • Obecny - Collector (Ic) (maks)
    10A
  • Podstawowy numer części
    GT10

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „GT10J312(Q)”.
GT11-2P-5.2C(70)

GT11-2P-5.2C(70)

Opis: CONN M OUTER TERMINAL

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
GT10G131(TE12L,Q)

GT10G131(TE12L,Q)

Opis: IGBT 400V 1W 8-SOIC

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
GT105U1K

GT105U1K

Opis: THERMISTOR NTC 1MOHM 4350K BEAD

Producenci: U.S. Sensor
Na stanie
RFQ
GT10B-(CON)/RE-MD

GT10B-(CON)/RE-MD

Opis: TOOL EXTRACTION

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
GT11-2428PCF(70)

GT11-2428PCF(70)

Opis: M TERMINAL 24-28AWG

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
GT11-2P-DS(71)

GT11-2P-DS(71)

Opis: CONN M HOUSING BRD MNT

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
GT10B-(20SET)/RE-MD

GT10B-(20SET)/RE-MD

Opis: TOOL EXTRACTION

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
GT10B-(10PRE)/RE-MD

GT10B-(10PRE)/RE-MD

Opis: TOOL EXTRACTION

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
GT11-2P-DSA(70)

GT11-2P-DSA(70)

Opis: CONN M HOUSING BRD MNT

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
GT10B-(20PRE)/RE-MD

GT10B-(20PRE)/RE-MD

Opis: TOOL EXTRACTION

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
GT11-1822SCF(70)

GT11-1822SCF(70)

Opis: F TERMINAL 18-22AWG

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
GT11-1822PCF(70)

GT11-1822PCF(70)

Opis: M TERMINAL 18-22AWG

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
GT103J1K

GT103J1K

Opis: THERMISTOR NTC 10KOHM 3977K BEAD

Producenci: U.S. Sensor
Na stanie
RFQ
GT11-2P-HU

GT11-2P-HU

Opis: CONN F CONN HOUSING

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
GT10B-(10SET)/RE-MD

GT10B-(10SET)/RE-MD

Opis: TOOL EXTRACTION

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
GT104L1K

GT104L1K

Opis: THERM NTC 100KOHM 4040K BEAD

Producenci: U.S. Sensor
Na stanie
RFQ
GT11-2P-6.0C(70)

GT11-2P-6.0C(70)

Opis: CONN M OUTER TERMINAL

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
GT11-2P-DS(70)

GT11-2P-DS(70)

Opis: CONN M HOUSING BRD MNT

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
GT103E1K

GT103E1K

Opis: THERMISTOR NTC 10KOHM 3435K BEAD

Producenci: U.S. Sensor
Na stanie
RFQ
GT11-2428SCF(70)

GT11-2428SCF(70)

Opis: F TERMINAL 24-28AWG

Producenci: Hirose
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.