Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > DF5G7M2N,LF
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2822169Obraz DF5G7M2N,LF.Toshiba Semiconductor and Storage

DF5G7M2N,LF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.57
10+
$0.399
25+
$0.327
100+
$0.262
250+
$0.19
500+
$0.155
1000+
$0.119
2500+
$0.107
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DF5G7M2N,LF
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 5.5V 20V 5DFN
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DF5G7M2N,LF.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    5.5V (Max)
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    20V
  • Napięcie - podziały (min)
    6V
  • Kanały jednokierunkowe
    4
  • Rodzaj
    Steering (Rail to Rail)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    5-DFN (1.3x0.8)
  • Seria
    -
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    50W
  • Opakowania
    Original-Reel®
  • Package / Case
    5-XFDFN
  • Inne nazwy
    DF5G7M2NLFDKR
  • temperatura robocza
    -
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    2.5A (8/20µs)
  • Pojemność @ Częstotliwość
    0.2pF @ 1MHz
  • Aplikacje
    General Purpose

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DF5G7M2N,LF”.
DF5A6.2F(TE85L,F)

DF5A6.2F(TE85L,F)

Opis: TVS DIODE 3VWM SMV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A5.6FTE85LF

DF5A5.6FTE85LF

Opis: TVS DIODE 2.5V SMV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A6.2JE,LM

DF5A6.2JE,LM

Opis: TVS DIODE 3VWM ESV PAC

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A6.2LJE,LM

DF5A6.2LJE,LM

Opis: TVS DIODE 5VWM ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A6.8F,LF

DF5A6.8F,LF

Opis: TVS DIODE 5VWM SMV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A6.2CFU(TE85L,F

DF5A6.2CFU(TE85L,F

Opis: TVS DIODE 5VWM USV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A6.2CJE,LM

DF5A6.2CJE,LM

Opis: TVS DIODE 5VWM ESV PAC

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A6.8FUTE85LF

DF5A6.8FUTE85LF

Opis: TVS DIODE 5VWM USV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A5.6JE,LM

DF5A5.6JE,LM

Opis: TVS DIODE 2.5V ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A6.2LFUTE85LF

DF5A6.2LFUTE85LF

Opis: TVS DIODE 5VWM USV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A6.8LJE,LM(T

DF5A6.8LJE,LM(T

Opis: TVS DIODE 5VWM ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A6.8LF,LF

DF5A6.8LF,LF

Opis: TVS DIODE 5VWM SMV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A6.8JE,LM

DF5A6.8JE,LM

Opis: TVS DIODE 5V ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A6.8LFUTE85LF

DF5A6.8LFUTE85LF

Opis: TVS DIODE 5VWM USV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A6.8CFU(TE85L,F

DF5A6.8CFU(TE85L,F

Opis: TVS DIODE 5VWM USV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A5.6LFU(TE85L,F

DF5A5.6LFU(TE85L,F

Opis: TVS DIODE 3.5V USV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A6.2FU(TE85L,F)

DF5A6.2FU(TE85L,F)

Opis: TVS DIODE 3VWM USV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A5.6FUTE85LF

DF5A5.6FUTE85LF

Opis: TVS DIODE 2.5V USV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A6.2JE(TE85L,F)

DF5A6.2JE(TE85L,F)

Opis: TVS DIODE 3VWM ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF5A6.2CJE(TE85L,F

DF5A6.2CJE(TE85L,F

Opis: TVS DIODE 5VWM ESV

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.