Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Ochrona obwodu > TVS - Diody > DF2B7AE,H3F
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
369296Obraz DF2B7AE,H3F.Toshiba Semiconductor and Storage

DF2B7AE,H3F

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$0.22
10+
$0.203
25+
$0.146
100+
$0.114
250+
$0.071
500+
$0.061
1000+
$0.041
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    DF2B7AE,H3F
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    TVS DIODE 5.5V 20V ESC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    DF2B7AE,H3F.pdf
  • Napięcie - Reverse patowa (typ)
    5.5V (Max)
  • Napięcie - zaciskanie (maks.) @ Ipp
    20V
  • Napięcie - podziały (min)
    5.8V
  • Rodzaj
    Zener
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    ESC
  • Seria
    -
  • Ochrona linii zasilających
    No
  • Moc - Peak Pulse
    80W
  • Opakowania
    Cut Tape (CT)
  • Package / Case
    SC-79, SOD-523
  • Inne nazwy
    DF2B7AEH3FCT
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Prąd - szczytowy impuls (10/1000 μs)
    4A (8/20µs)
  • Pojemność @ Częstotliwość
    8.5pF @ 1MHz
  • Kanały dwukierunkowe
    1

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „DF2B7AE,H3F”.
DF2B6.8M1ACT,L3F

DF2B6.8M1ACT,L3F

Opis: TVS DIODE 5V 20V CST2

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF2B6USL,L3F

DF2B6USL,L3F

Opis: TVS DIODE 5.5V 20V SL2

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF2E-DC5V

DF2E-DC5V

Opis: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 125V

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DF2E-DC12V

DF2E-DC12V

Opis: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 125V

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DF2B6M4CT,L3F

DF2B6M4CT,L3F

Opis: TVS DIODE 5.5V 15V CST2

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF2B6.8AFS,L3M

DF2B6.8AFS,L3M

Opis: TVS DIODE 5V 7V FSC

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF2B7M3SC,L3F

DF2B7M3SC,L3F

Opis: TVS DIODE 5V 13V SC2

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF2B7ACT,L3F

DF2B7ACT,L3F

Opis: TVS DIODE 5.5V 20V CST2

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF2B6.8E,L3F

DF2B6.8E,L3F

Opis: TVS DIODE 5VWM ESC

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF2B6.8M2SC(TPL3)

DF2B6.8M2SC(TPL3)

Opis: TVS DIODE 5V 13V SC2

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF2B7AE,L3F

DF2B7AE,L3F

Opis: TVS DIODE 5.5V 20V ESC

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF2B7AFS,L3M

DF2B7AFS,L3M

Opis: TVS DIODE 5.5V 20V SOD923

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF2B7M3SL,L3F

DF2B7M3SL,L3F

Opis: TVS DIODE 5.5V 20V SL2

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF2B7ASL,L3F

DF2B7ASL,L3F

Opis: TVS DIODE 5.5V 20V SL2

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF2E-DC24V

DF2E-DC24V

Opis: RELAY GEN PURPOSE DPDT 1A 125V

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
DF2B7M2SL,L3F

DF2B7M2SL,L3F

Opis: TVS DIODE 5V 20V SL2

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF2B6.8FS(TPL4,D)

DF2B6.8FS(TPL4,D)

Opis: TVS DIODE 5V 8.5V FSC

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF2B7SL,L3F

DF2B7SL,L3F

Opis: TVS DIODE 5.3V 16V SL2

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF2B6.8FS(TPL3,T)

DF2B6.8FS(TPL3,T)

Opis: TVS DIODE 5V 8.5V FSC

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
DF2B6M4SL,L3F

DF2B6M4SL,L3F

Opis: TVS DIODE 5.5V 25V SL2

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.