Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody - Zener - Pojedynczy > CRZ39(TE85L,Q,M)
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3828412

CRZ39(TE85L,Q,M)

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$0.177
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    CRZ39(TE85L,Q,M)
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    CRZ39(TE85L,Q,M).pdf
  • Napięcie Zenera - (nominalne) (Vz)
    39V
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1V @ 200mA
  • Tolerancja
    ±10%
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    S-FLAT (1.6x3.5)
  • Seria
    -
  • Moc - Max
    700mW
  • Package / Case
    SOD-123F
  • Inne nazwy
    CRZ39(TE85LQM)
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Impedancja (Max) (Zzt)
    35 Ohms
  • szczegółowy opis
    Zener Diode 39V 700mW ±10% Surface Mount S-FLAT (1.6x3.5)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    10µA @ 31.2V

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „CRZ39(TE85L,Q,M)”.
CRZ20(TE85L,Q,M)

CRZ20(TE85L,Q,M)

Opis: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ36(TE85L,Q,M)

CRZ36(TE85L,Q,M)

Opis: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ27(TE85L,Q,M)

CRZ27(TE85L,Q,M)

Opis: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ47(TE85L,Q,M)

CRZ47(TE85L,Q,M)

Opis: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ43(TE85L,Q,M)

CRZ43(TE85L,Q,M)

Opis: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ30(TE85L,Q)

CRZ30(TE85L,Q)

Opis: DIODE ZENER 30V 700MW SFLAT

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ13(TE85L,Q,M)

CRZ13(TE85L,Q,M)

Opis: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ33(TE85L,Q,M)

CRZ33(TE85L,Q,M)

Opis: DIODE ZENER 33V 700MW SFLAT

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ18(TE85L,Q,M)

CRZ18(TE85L,Q,M)

Opis: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ24(TE85L,Q,M)

CRZ24(TE85L,Q,M)

Opis: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ16(TE85L,Q,M)

CRZ16(TE85L,Q,M)

Opis: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ30(TE85L,Q,M)

CRZ30(TE85L,Q,M)

Opis: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ22(TE85L,Q)

CRZ22(TE85L,Q)

Opis: DIODE ZENER 22V 700MW SFLAT

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ12(TE85L,Q,M)

CRZ12(TE85L,Q,M)

Opis: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ11(TE85L,Q,M)

CRZ11(TE85L,Q,M)

Opis: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ22(TE85L,Q,M)

CRZ22(TE85L,Q,M)

Opis: X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ=3000 V

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ12(TE85L,Q)

CRZ12(TE85L,Q)

Opis: DIODE ZENER 12V 700MW SFLAT

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ18(TE85L,Q)

CRZ18(TE85L,Q)

Opis: DIODE ZENER 18V 700MW SFLAT

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ47(TE85L,Q)

CRZ47(TE85L,Q)

Opis: DIODE ZENER 47V 700MW SFLAT

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
CRZ15(TE85L,Q,M)

CRZ15(TE85L,Q,M)

Opis: DIODE ZENER 15V 700MW SFLAT

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.