Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > 2SJ360(F)
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2082406Obraz 2SJ360(F).Toshiba Semiconductor and Storage

2SJ360(F)

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    2SJ360(F)
  • Producent / marka
    TAEC Product (Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation)
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    1.2SJ360(F).pdf
    2.2SJ360(F).pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    2V @ 1mA
  • Vgs (maks.)
    ±20V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    PW-MINI
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    730 mOhm @ 500mA, 10V
  • Strata mocy (max)
    500mW (Ta)
  • Opakowania
    Bulk
  • Package / Case
    TO-243AA
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    155pF @ 10V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    6.5nC @ 10V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    60V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 60V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PW-MINI
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    1A (Ta)

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „2SJ360(F)”.
2SJ360(TE12L,F)

2SJ360(TE12L,F)

Opis: MOSFET P-CH 60V 1A SC-62

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SJ168TE85LF

2SJ168TE85LF

Opis: MOSFET P-CH 60V 0.2A S-MINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SJ304(F)

2SJ304(F)

Opis: MOSFET P-CH 60V 14A TO220NIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SJ067400L

2SJ067400L

Opis: MOSFET P-CH 30V 100MA SSSMINI-3

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
2SJ438,Q(J

2SJ438,Q(J

Opis: MOSFET P-CH

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SJ053600L

2SJ053600L

Opis: MOSFET P-CH 30V .1A S-MINI-3P

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
2SJ058200L

2SJ058200L

Opis: MOSFET P-CH 200V 2A U-G2

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
2SJ358C(0)-T1-AZ

2SJ358C(0)-T1-AZ

Opis: TRANSISTOR

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
2SJ305TE85LF

2SJ305TE85LF

Opis: MOSFET P-CH 30V 0.2A S-MINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SJ0674G0L

2SJ0674G0L

Opis: MOSFET P-CH 30V .1A SSSMINI-3

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
2SJ162-E

2SJ162-E

Opis: MOSFET P-CH 160V 7A TO-3P

Producenci: Renesas Electronics America
Na stanie
RFQ
2SJ438(CANO,Q,M)

2SJ438(CANO,Q,M)

Opis: MOSFET P-CH

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SJ438(CANO,A,Q)

2SJ438(CANO,A,Q)

Opis: MOSFET P-CH

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SJ438,MDKQ(M

2SJ438,MDKQ(M

Opis: MOSFET P-CH

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SJ380(F)

2SJ380(F)

Opis: MOSFET P-CH 100V 12A TO220NIS

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SJ377(TE16R1,NQ)

2SJ377(TE16R1,NQ)

Opis: MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SJ438,MDKQ(J

2SJ438,MDKQ(J

Opis: MOSFET P-CH

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SJ0536G0L

2SJ0536G0L

Opis: MOSFET P-CH 30V .1A SMINI-3

Producenci: Panasonic
Na stanie
RFQ
2SJ438(AISIN,A,Q)

2SJ438(AISIN,A,Q)

Opis: MOSFET P-CH

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
2SJ438(AISIN,Q,M)

2SJ438(AISIN,Q,M)

Opis: MOSFET P-CH

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.