Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > 1SS397TE85LF
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4901083Obraz 1SS397TE85LF.Toshiba Semiconductor and Storage

1SS397TE85LF

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    1SS397TE85LF
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 400V 100MA SC70
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 100mA
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    400V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    SC-70
  • Prędkość
    Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    500ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    SC-70, SOT-323
  • Inne nazwy
    1SS397(TE85L,F)
    1SS397TE85LFTR
  • Temperatura pracy - złącze
    125°C (Max)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 400V 100mA Surface Mount SC-70
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    1µA @ 400V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    100mA
  • Pojemność @ VR F
    5pF @ 0V, 1MHz
1SS394TE85LF

1SS394TE85LF

Opis: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SC59

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
1SS398TE85LF

1SS398TE85LF

Opis: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SMINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
1SS393,LF

1SS393,LF

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SC70

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
1SS389-G

1SS389-G

Opis: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA SOD523

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
1SS400CST2R

1SS400CST2R

Opis: DIODE GEN PURP 80V 100MA VMN2

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
1SS393SU,LF

1SS393SU,LF

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V USM

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
1SS388-TP

1SS388-TP

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA SOD523

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
1SS400 RKG

1SS400 RKG

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
1SS400-TP

1SS400-TP

Opis: DIODE GEN PURP 90V 100MA SOD523

Producenci: Micro Commercial Components (MCC)
Na stanie
1SS400 RJG

1SS400 RJG

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
1SS400-G

1SS400-G

Opis: DIODE GEN PURP 80V 100MA SOD523

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
1SS396,LF

1SS396,LF

Opis: DIODE SCHOTKY 40V 70MA SMINI

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
1SS392,LF

1SS392,LF

Opis: DIODE ARRAY SCHOTTKY 40V SC59

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
1SS400CSFHT2RA

1SS400CSFHT2RA

Opis: SWITCHING DIODES (CORRESPONDS TO

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
1SS390TE61

1SS390TE61

Opis: DIODE SW 35V 100MA 2EMD TR

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
1SS400 RSG

1SS400 RSG

Opis: DIODE GEN PURP 100V 200MA SOD523

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
1SS389,H3F

1SS389,H3F

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA ESC

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
1SS400CST2RA

1SS400CST2RA

Opis: DIODE GEN PURP 80V 100MA VMN2

Producenci: LAPIS Semiconductor
Na stanie
1SS389,L3F

1SS389,L3F

Opis: DIODE SCHOTTKY 10V 100MA ESC

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie
1SS399TE85LF

1SS399TE85LF

Opis: DIODE ARRAY GP 400V 100MA SC61B

Producenci: Toshiba Semiconductor and Storage
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść