Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Układy scalone > Pamięć > TC58BYG0S3HBAI6
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2626916Obraz TC58BYG0S3HBAI6.Toshiba Memory America, Inc.

TC58BYG0S3HBAI6

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1+
$3.21
10+
$2.885
25+
$2.84
50+
$2.832
100+
$2.53
338+
$2.448
676+
$2.439
1014+
$2.272
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    TC58BYG0S3HBAI6
  • Producent / marka
    Kioxia America, Inc.
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    IC FLASH 1G PARALLEL 67VFBGA
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    TC58BYG0S3HBAI6.pdf
  • Zapisać czas cyklu - słowo, strona
    25ns
  • Napięcie - Dostawa
    1.7 V ~ 1.95 V
  • Technologia
    FLASH - NAND (SLC)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    67-VFBGA (6.5x8)
  • Seria
    Benand™
  • Opakowania
    Tray
  • Package / Case
    67-VFBGA
  • Inne nazwy
    TC58BYG0S3HBAI6JDH
    TC58BYG0S3HBAI6YCJ
  • temperatura robocza
    -40°C ~ 85°C (TA)
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    3 (168 Hours)
  • Typ pamięci
    Non-Volatile
  • Rozmiar pamięci
    1Gb (128M x 8)
  • Interfejs pamięci
    Parallel
  • Format pamięci
    FLASH
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • szczegółowy opis
    FLASH - NAND (SLC) Memory IC 1Gb (128M x 8) Parallel 25ns 67-VFBGA (6.5x8)
  • Czas dostępu
    25ns

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13

Overview of Digital Signal Processing (DSP)

2024/11/13

Korea Południowa planuje wprowadzić ACT Chip, aby przeciw...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „TC58BYG0S3HBAI6”.
TC58CVG1S3HRAIG

TC58CVG1S3HRAIG

Opis: 2GB SERIAL NAND 24NM WSON 3.3V

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58BVG1S3HTA00

TC58BVG1S3HTA00

Opis: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58CVG0S3HQAIE

TC58CVG0S3HQAIE

Opis: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58BVG1S3HTAI0

TC58BVG1S3HTAI0

Opis: IC FLASH 2G PARALLEL 48TSOP I

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58BYG0S3HBAI4

TC58BYG0S3HBAI4

Opis: 1GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58BYG2S0HBAI6

TC58BYG2S0HBAI6

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 67VFBGA

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58BVG2S0HBAI4

TC58BVG2S0HBAI4

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58BVG0S3HTA00

TC58BVG0S3HTA00

Opis: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58BYG1S3HBAI4

TC58BYG1S3HBAI4

Opis: 2GB SLC NAND BGA 24NM I TEMP (EE

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58CVG2S0HQAIE

TC58CVG2S0HQAIE

Opis: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 16SOP

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58BVG2S0HTA00

TC58BVG2S0HTA00

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58CVG0S3HRAIG

TC58CVG0S3HRAIG

Opis: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 8WSON

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58CYG0S3HRAIG

TC58CYG0S3HRAIG

Opis: 1GB SERIAL NAND 24NM WSON 1.8V

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58BYG1S3HBAI6

TC58BYG1S3HBAI6

Opis: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58BVG2S0HTAI0

TC58BVG2S0HTAI0

Opis: IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58CYG0S3HQAIE

TC58CYG0S3HQAIE

Opis: IC FLASH 1G SPI 104MHZ 16SOP

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58BVG1S3HBAI6

TC58BVG1S3HBAI6

Opis: IC FLASH 2G PARALLEL 67VFBGA

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58CVG2S0HRAIG

TC58CVG2S0HRAIG

Opis: IC FLASH 4G SPI 104MHZ 8WSON

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58BVG0S3HTAI0

TC58BVG0S3HTAI0

Opis: IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
TC58BVG1S3HBAI4

TC58BVG1S3HBAI4

Opis: 2GB SLC BENAND 24NM BGA 9X11 (EE

Producenci: Toshiba Memory America, Inc.
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.