Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Kryształy, oscylatory, rezonatory > Oscylatory > 7L26001005
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
4572740Obraz 7L26001005.TXC Corporation

7L26001005

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
3000+
$1.12
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    7L26001005
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    OSC TCXO 26MHZ 2.8V SMD
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Model ECAD
  • Napięcie - Dostawa
    2.8V
  • Rodzaj
    TCXO
  • Rozmiar / Wymiar
    0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm)
  • Seria
    7L
  • oceny
    -
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    4-SMD, No Lead
  • Wydajność
    Clipped Sine Wave
  • temperatura robocza
    -30°C ~ 85°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    15 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Wysokość - Siedzą (Max)
    0.032" (0.80mm)
  • Funkcjonować
    -
  • Stabilność częstotliwości
    -
  • Częstotliwość
    26MHz
  • szczegółowy opis
    26MHz TCXO Clipped Sine Wave Oscillator 2.8V 4-SMD, No Lead
  • Obecny - Dostawa (Max)
    -
  • Rezonator bazowy
    Crystal
550AD153M600DG

550AD153M600DG

Opis: VCXO; DIFF/SE; SINGLE FREQ; 10-1

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
SIT1602BI-82-28E-33.333000Y

SIT1602BI-82-28E-33.333000Y

Opis: -40 TO 85C, 7050, 25PPM, 2.8V, 3

Producenci: SiTime
Na stanie
SIT8208AC-23-28E-66.600000Y

SIT8208AC-23-28E-66.600000Y

Opis: -20 TO 70C, 3225, 50PPM, 2.8V, 6

Producenci: SiTime
Na stanie
7L26076001

7L26076001

Opis: OSC TCXO 26MHZ 3.3V SMD

Producenci: TXC Corporation
Na stanie
SG7050VAN 50.000000M-KJGBB

SG7050VAN 50.000000M-KJGBB

Opis: OSC XO 50MHZ LVDS SMD

Producenci: Epson
Na stanie
7L26001018

7L26001018

Opis: OSC TCXO 26MHZ 2.8V SMD

Producenci: TXC Corporation
Na stanie
ASTMHTV-10.000MHZ-ZR-E-T

ASTMHTV-10.000MHZ-ZR-E-T

Opis: OSC MEMS 10MHZ H/LVCMOS SMD

Producenci: Abracon Corporation
Na stanie
SIT8208AI-32-33E-74.250000X

SIT8208AI-32-33E-74.250000X

Opis: -40 TO 85C, 5032, 25PPM, 3.3V, 7

Producenci: SiTime
Na stanie
SIT1602BI-31-28N-38.400000X

SIT1602BI-31-28N-38.400000X

Opis: -40 TO 85C, 5032, 20PPM, 2.8V, 3

Producenci: SiTime
Na stanie
7L26003006

7L26003006

Opis: OSC TCXO 26MHZ 1.8V SMD

Producenci: TXC Corporation
Na stanie
7L26002009

7L26002009

Opis: OSC TCXO 26MHZ 2.8V SMD

Producenci: TXC Corporation
Na stanie
7L26002022

7L26002022

Opis: OSC TCXO 26MHZ 1.8V SMD

Producenci: TXC Corporation
Na stanie
SIT1602BI-21-25E-12.000000E

SIT1602BI-21-25E-12.000000E

Opis: -40 TO 85C, 3225, 20PPM, 2.5V, 1

Producenci: SiTime
Na stanie
590AD000388DG

590AD000388DG

Opis: SINGLE FREQUENCY XO, OE PIN 2 (O

Producenci: Energy Micro (Silicon Labs)
Na stanie
ASTMUPCE-33-32.000MHZ-EJ-E-T3

ASTMUPCE-33-32.000MHZ-EJ-E-T3

Opis: OSC MEMS 32MHZ LVCMOS SMD

Producenci: Abracon Corporation
Na stanie
AMPMGGA-42.5000T

AMPMGGA-42.5000T

Opis: OSC MEMS XO 42.5000MHZ OE

Producenci: Abracon Corporation
Na stanie
7L26002007

7L26002007

Opis: OSC TCXO 26MHZ 2.8V SMD

Producenci: TXC Corporation
Na stanie
7L26002017

7L26002017

Opis: OSC TCXO 26MHZ 2.8V SMD

Producenci: TXC Corporation
Na stanie
AMPMGDD-1.8432T3

AMPMGDD-1.8432T3

Opis: OSC MEMS XO 1.8432MHZ ST

Producenci: Abracon Corporation
Na stanie
SIT8208AI-81-18S-72.000000X

SIT8208AI-81-18S-72.000000X

Opis: -40 TO 85C, 7050, 20PPM, 1.8V, 7

Producenci: SiTime
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść