Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > UG2JAHR3G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1275501Obraz UG2JAHR3G.TSC (Taiwan Semiconductor)

UG2JAHR3G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
1800+
$0.136
3600+
$0.125
5400+
$0.117
12600+
$0.11
45000+
$0.101
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    UG2JAHR3G
  • Producent / marka
    Taiwan Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    UG2JAHR3G.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    1.3V @ 2A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    600V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AC (SMA)
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    55ns
  • Opakowania
    Tape & Reel (TR)
  • Package / Case
    DO-214AC, SMA
  • Inne nazwy
    UG2JAHR3GTR
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    8 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 600V 2A Surface Mount DO-214AC (SMA)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    2µA @ 600V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    2A
  • Pojemność @ VR F
    20pF @ 4V, 1MHz

2025: AI Servers Surge, Desktop AI Rises

2025/01/13

Looking forward to 2025: Five major trends in the electroni...

2024/12/31

Analysis of Digital Key Technology in Automobiles and Its F...

2024/12/23

THE 2024 ELEKTRA AWARD Winners Announced

2024/12/12

Microchip ogłasza 500 zwolnień, a koszty restrukturyzacji...

2024/12/4

Quanta: popyt na AI jest nadal silny, ze stałym strumienie...

2024/12/3

The Crucial Role of Semiconductors for Original Equipment M...

2024/12/2

Samsung znacznie zmniejsza zużycie fotorezystów w produkc...

2024/12/2

Vishay zainwestuje 51 milionów funtów w przejęte wafel N...

2024/11/29

Zagrożenie taryfą Trumpa, NVIDIA, dostawcy Intel Reasess ...

2024/11/28

Intel otrzyma 7,86 miliarda dolarów w ramach dotacji na po...

2024/11/27

AMD rozpoczyna budowę drugiej fazy Bangalore Design Center

2024/11/26
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „UG2JAHR3G”.
UG2KB05TB

UG2KB05TB

Opis: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 2A D3K

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RFQ
UG2KB60TB

UG2KB60TB

Opis: BRIDGE RECT 1PHASE 600V 2A D3K

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RFQ
UG2JA R3G

UG2JA R3G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG2DHB0G

UG2DHB0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG2D B0G

UG2D B0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG2D R0G

UG2D R0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG2KB20TB

UG2KB20TB

Opis: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 2A D3K

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RFQ
UG2JAHM2G

UG2JAHM2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG2KB40TB

UG2KB40TB

Opis: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 2A D3K

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RFQ
UG2KB10TB

UG2KB10TB

Opis: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 2A D3K

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RFQ
UG2KB100TB

UG2KB100TB

Opis: BRIDGE RECT 1PHASE 1KV 2A D3K

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RFQ
UG2KB80TB

UG2KB80TB

Opis: BRIDGE RECT 1PHASE 800V 2A D3K

Producenci: Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions
Na stanie
RFQ
UG2DHR0G

UG2DHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG2G-E3/73

UG2G-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UG2DHA0G

UG2DHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG2D A0G

UG2D A0G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG2D-E3/54

UG2D-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UG2JA M2G

UG2JA M2G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 2A DO214AC

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
UG2G-E3/54

UG2G-E3/54

Opis: DIODE GEN PURP 400V 2A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
UG2D-E3/73

UG2D-E3/73

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2A DO204AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.