Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > SFT12GHA1G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
3938618

SFT12GHA1G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
12000+
$0.067
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SFT12GHA1G
  • Producent / marka
    Taiwan Semiconductor
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SFT12GHA1G.pdf
  • Napięcie - Forward (VF) (Max) @ Jeśli
    950mV @ 1A
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    TS-1
  • Prędkość
    Fast Recovery = 200mA (Io)
  • Seria
    Automotive, AEC-Q101
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    35ns
  • Opakowania
    Tape & Box (TB)
  • Package / Case
    T-18, Axial
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    12 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 1A Through Hole TS-1
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    5µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    1A
  • Pojemność @ VR F
    20pF @ 4V, 1MHz

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SFT12GHA1G”.
SFT12G A1G

SFT12G A1G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SFT1341-TL-W

SFT1341-TL-W

Opis: MOSFET P-CH 40V 10A TP-FA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT1341-TL-E

SFT1341-TL-E

Opis: MOSFET P-CH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT11GHA0G

SFT11GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SFT1341-C-TL-W

SFT1341-C-TL-W

Opis: MOSFET P-CH 40V 10A TP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT1202-TL-E

SFT1202-TL-E

Opis: TRANS NPN 150V 2A TP-FA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT1341-W

SFT1341-W

Opis: MOSFET P-CH 40V 10A TP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT12GHR0G

SFT12GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SFT11G R0G

SFT11G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SFT1341-C-TL-E

SFT1341-C-TL-E

Opis: MOSFET P-CH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT11GHR0G

SFT11GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SFT12G R0G

SFT12G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SFT1202-E

SFT1202-E

Opis: TRANS NPN 150V 2A TP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT12G A0G

SFT12G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SFT1341-E

SFT1341-E

Opis: MOSFET P-CH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT11GHA1G

SFT11GHA1G

Opis: DIODE GEN PURP 50V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SFT1342-TL-W

SFT1342-TL-W

Opis: MOSFET P-CH 60V 12A TP-FA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT1342-TL-E

SFT1342-TL-E

Opis: MOSFET P-CH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT12GHA0G

SFT12GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SFT1342-E

SFT1342-E

Opis: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK/TP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.