Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory - tranzystory polowe, tranzystory polo > SFT1341-W
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
1097075Obraz SFT1341-W.AMI Semiconductor / ON Semiconductor

SFT1341-W

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    SFT1341-W
  • Producent / marka
    AMI Semiconductor/onsemi
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    MOSFET P-CH 40V 10A TP
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
    SFT1341-W.pdf
  • VGS (th) (Max) @ Id
    -
  • Vgs (maks.)
    ±10V
  • Technologia
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    IPAK/TP
  • Seria
    -
  • RDS (Max) @ ID, Vgs
    112 mOhm @ 5A, 4.5V
  • Strata mocy (max)
    1W (Ta), 15W (Tc)
  • Opakowania
    Tube
  • Package / Case
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • temperatura robocza
    150°C (TJ)
  • Rodzaj mocowania
    Through Hole
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Pojemność wejściowa (Ciss) (maks.) @ Vds
    650pF @ 20V
  • Opłata bramkowa (Qg) (maksymalna) @ Vgs
    8nC @ 4.5V
  • Rodzaj FET
    P-Channel
  • Cecha FET
    -
  • Napięcie Napędu (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Spust do źródła napięcia (Vdss)
    40V
  • szczegółowy opis
    P-Channel 40V 10A (Ta) 1W (Ta), 15W (Tc) Through Hole IPAK/TP
  • Prąd - Ciągły Odpływ (Id) @ 25 ° C
    10A (Ta)

Anthropic otrzymuje kolejne 4 miliardy dolarów inwestycji ...

2024/11/23

Półprzepustowy wzrost sprzedaży o 12% w III kwarta

2024/11/22

Doniesiono, że Kooksia otrzyma zatwierdzenie aukcji 22 lis...

2024/11/21

Najnowsza silikonowa platforma optyczna Tower Semiconductor...

2024/11/20

Branża powoli odzyskuje.Dostawca epitaksjalny IQE rozważa...

2024/11/19

Comprehensive analysis of inductance: basics, characteristi...

2024/11/19

The core value and future development trend of passive comp...

2024/11/18

Dostawca: Duża liczba komponentów GPU serii RTX 50 zostan...

2024/11/18

Tajwan, wartość wyjściowa China Semiconductor wzrośnie ...

2024/11/17

Rozszerzając produkcję paneli OLED, LG Display zainwestuj...

2024/11/15

Amazon zwiększa wysiłki na rzecz tworzenia niestandardowy...

2024/11/14

Zysk netto Pegatronu w Q3 wyniósł 4,296 mld USD, co stano...

2024/11/13
Wysyłka
Zapłata
Poniżej znajdują się produkty związane z „SFT1341-W”.
SFT13G A1G

SFT13G A1G

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SFT1341-C-TL-W

SFT1341-C-TL-W

Opis: MOSFET P-CH 40V 10A TP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT1341-C-TL-E

SFT1341-C-TL-E

Opis: MOSFET P-CH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT1341-TL-E

SFT1341-TL-E

Opis: MOSFET P-CH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT1342-TL-E

SFT1342-TL-E

Opis: MOSFET P-CH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT1341-TL-W

SFT1341-TL-W

Opis: MOSFET P-CH 40V 10A TP-FA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT1350-TL-H

SFT1350-TL-H

Opis: MOSFET P-CH 40V 19A TP-FA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT1341-E

SFT1341-E

Opis: MOSFET P-CH

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT12GHA0G

SFT12GHA0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SFT13G A0G

SFT13G A0G

Opis: DIODE GEN PURP 150V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SFT12G A1G

SFT12G A1G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SFT12GHA1G

SFT12GHA1G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SFT12G R0G

SFT12G R0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SFT1350-H

SFT1350-H

Opis: MOSFET P-CH 40V 19A TP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT1345-H

SFT1345-H

Opis: MOSFET P-CH 100V 11A TP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT1345-TL-H

SFT1345-TL-H

Opis: MOSFET P-CH 100V 11A TP-FA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT1342-E

SFT1342-E

Opis: MOSFET P-CH 60V 12A IPAK/TP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT12GHR0G

SFT12GHR0G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 1A TS-1

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
RFQ
SFT1342-TL-W

SFT1342-TL-W

Opis: MOSFET P-CH 60V 12A TP-FA

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
SFT1342-W

SFT1342-W

Opis: MOSFET P-CH 60V 12A TP

Producenci: AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Na stanie
RFQ
Jako jedyny publiczny dystrybutor rynku, mamy unikalną kombinację globalnego dostępu, wiedzy w branży produkcyjnej i sprawdzonej jakości.Dzięki temu możemy tworzyć spersonalizowane, kompleksowe rozwiązania łańcucha dostaw do pozyskiwania komponentów elektronicznych i zarządzania zapasami.
Podążaj za nami
Zasady i WarunkiPolityka naruszeniaPoprosić o wycenęO nasSkontaktuj się z namiMapa witryny

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść

Obecny język

Wybierz swój kraj lub region.