Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S4M V6G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2596089Obraz S4M V6G.TSC (Taiwan Semiconductor)

S4M V6G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
6000+
$0.107
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S4M V6G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 4A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB (SMC)
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    1.5µs
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Inne nazwy
    S4M V6G-ND
    S4MV6G
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    100µA @ 1000V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    4A
  • Pojemność @ VR F
    60pF @ 4V, 1MHz
CDBER0140R

CDBER0140R

Opis: DIODE SCHOTTKY 40V 100MA 0503

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
S12JC V7G

S12JC V7G

Opis: DIODE GEN PURP 600V 12A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
CDBMH1100-HF

CDBMH1100-HF

Opis: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123T

Producenci: Comchip Technology
Na stanie
SBLB10L30HE3/45

SBLB10L30HE3/45

Opis: DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
BAR18FILM

BAR18FILM

Opis: DIODE SCHOTTKY 70V 70MA SOT23-3

Producenci: STMicroelectronics
Na stanie
GP10ME-E3/53

GP10ME-E3/53

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S4MF03107SPZQQ1R

S4MF03107SPZQQ1R

Opis: IC MCU 32BIT 320KB FLASH 100LQFP

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
GP10K-M3/73

GP10K-M3/73

Opis: DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
MBRF1090-E3/4W

MBRF1090-E3/4W

Opis: DIODE SCHOTTKY 90V 10A ITO220AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S4M M6G

S4M M6G

Opis: DIODE GEN PURP 4A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S4MF04207SPZQQ1

S4MF04207SPZQQ1

Opis: IC MCU 32BIT 448KB FLASH 100LQFP

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
US1G-M3/61T

US1G-M3/61T

Opis: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S4M

S4M

Opis: DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL

Producenci: Semtech
Na stanie
RL 2Z

RL 2Z

Opis: DIODE GEN PURP 200V 2A AXIAL

Producenci: Sanken Electric Co., Ltd.
Na stanie
VS-ETL1506STRLHM3

VS-ETL1506STRLHM3

Opis: DIODE GEN PURP 600V 15A TO263AB

Producenci: Electro-Films (EFI) / Vishay
Na stanie
S4MF03107SPZQQ1

S4MF03107SPZQQ1

Opis: IC MCU 32BIT 320KB FLASH 100LQFP

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie
S4M R7G

S4M R7G

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
BAL99-7-F

BAL99-7-F

Opis: DIODE GEN PURP 75V 300MA SOT23-3

Producenci: Diodes Incorporated
Na stanie
S4M V7G

S4M V7G

Opis: DIODE GEN PURP 1KV 4A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S4MF06607BSPZQQ1

S4MF06607BSPZQQ1

Opis: IC MCU 32BIT 640KB FLASH 100LQFP

Producenci: Luminary Micro / Texas Instruments
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść