Dla odwiedzających w Electronica 2024

Zarezerwuj swój czas teraz!

Wystarczy kilka kliknięć, aby zarezerwować twoje miejsce i zdobyć bilet na stoisko

Hall C5 Booth 220

Rejestracja z wyprzedzeniem

Dla odwiedzających w Electronica 2024
WSZYSTKO WSZYSTKO ZAREJESTRUJĄ! Dziękujemy za umówienie się na spotkanie!
Wyślemy Ci bilety Booth przez e -mail po zweryfikowaniu Twojej rezerwacji.
Dom > Produkty > Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Diody prostownicze - pojedyncze > S4B V6G
RFQs/ZAMÓWIENIE (0)
polski
polski
2212166Obraz S4B V6G.TSC (Taiwan Semiconductor)

S4B V6G

Poproś o wycenę

Wypełnij wszystkie wymagane pola za pomocą danych kontaktowych. Kliknij „Prześlij RFQ”Lub napisz do nas:info@ftcelectronics.com

Cena referencyjna (w dolarach amerykańskich)

Na stanie
6000+
$0.107
Zapytanie online
Specyfikacje
  • Part Number
    S4B V6G
  • Producent / marka
  • Wielkość zbiorów
    Na stanie
  • Opis
    DIODE GEN PURP 100V 4A DO214AB
  • Stan ołowiu / status RoHS
    Bezołowiowa / zgodna z RoHS
  • Arkusze danych
  • Napięcie - DC Rewers (VR) (maks)
    100V
  • Dostawca urządzeń Pakiet
    DO-214AB (SMC)
  • Prędkość
    Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
  • Seria
    -
  • Odwrócona Recovery Time (TRR)
    1.5µs
  • Package / Case
    DO-214AB, SMC
  • Inne nazwy
    S4B V6G-ND
    S4BV6G
  • Temperatura pracy - złącze
    -55°C ~ 150°C
  • Rodzaj mocowania
    Surface Mount
  • Poziom czułości na wilgoć (MSL)
    1 (Unlimited)
  • Standardowy czas oczekiwania producenta
    6 Weeks
  • Status bezołowiowy / status RoHS
    Lead free / RoHS Compliant
  • Typ diody
    Standard
  • szczegółowy opis
    Diode Standard 100V 4A Surface Mount DO-214AB (SMC)
  • Obecny - Reverse Przeciek @ Vr
    100µA @ 100V
  • Obecny - Średnia Spirytus (Io)
    4A
  • Pojemność @ VR F
    60pF @ 4V, 1MHz
S4B-PH-K-S(LF)(SN)

S4B-PH-K-S(LF)(SN)

Opis: CONN HEADER PH SIDE 4POS 2MM

Producenci: JST
Na stanie
S4B-EH(LF)(SN)

S4B-EH(LF)(SN)

Opis: CONN HEADER EH SIDE 4POS 2.5MM

Producenci: JST
Na stanie
BYG20DHE3/TR

BYG20DHE3/TR

Opis: DIODE AVALANCHE 200V 1.5A

Producenci: Vishay Semiconductor Diodes Division
Na stanie
S4B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

S4B-ZR-SM4A-TF(LF)(SN)

Opis: CONN HEADER ZH SIDE 4POS 1.5MM

Producenci: JST
Na stanie
S4B-PH-K-S

S4B-PH-K-S

Opis: CONN HEADER PH SIDE 4POS 2MM

Producenci: JST
Na stanie
S4B-XH-SM4-TB(LF)(SN)

S4B-XH-SM4-TB(LF)(SN)

Opis: CONN HEADER XH SMD 4POS 2.5MM

Producenci: JST
Na stanie
S4B V7G

S4B V7G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 4A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S4B-ZR

S4B-ZR

Opis: CONN HEADER ZH SIDE 4POS 1.5MM

Producenci: JST
Na stanie
S4B-XH-A(LF)(SN)

S4B-XH-A(LF)(SN)

Opis: CONN HEADER XH SIDE 4POS 2.5MM

Producenci: JST
Na stanie
S4B-PH-SM3-TB

S4B-PH-SM3-TB

Opis: CONN HEADER PH SIDE 4POS 2MM SMD

Producenci: JST
Na stanie
S4B R7G

S4B R7G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 4A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S4B-PH-K-S-GZ

S4B-PH-K-S-GZ

Opis: PH HEADER (SIDE)

Producenci: JST
Na stanie
S4B M6G

S4B M6G

Opis: DIODE GEN PURP 100V 4A DO214AB

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S4B-ZR-3.4(LF)(SN)

S4B-ZR-3.4(LF)(SN)

Opis: CONN HEADER ZH SIDE 4POS 1.5MM

Producenci: JST
Na stanie
S4B-ZR(LF)(SN)

S4B-ZR(LF)(SN)

Opis: CONN HEADER ZH SIDE 4POS 1.5MM

Producenci: JST
Na stanie
S4B-PH-SM4-TB(LF)(SN)

S4B-PH-SM4-TB(LF)(SN)

Opis: CONN HEADER PH SIDE 4POS 2MM SMD

Producenci: JST
Na stanie
S4B-ZR-SM2-TF(LF)(SN)(P)

S4B-ZR-SM2-TF(LF)(SN)(P)

Opis: CONN HEADER ZH SMT 4POS 1.5MM

Producenci: JST
Na stanie
S4B-ZR-SM3A-TF

S4B-ZR-SM3A-TF

Opis: CONN HEADER ZH SIDE 4POS 1.5MM

Producenci: JST
Na stanie
MUR120SHR5G

MUR120SHR5G

Opis: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA

Producenci: TSC (Taiwan Semiconductor)
Na stanie
S4B-EH

S4B-EH

Opis: CONN HEADER EH SIDE 4POS 2.5MM

Producenci: JST
Na stanie

Wybierz język

Kliknij przestrzeń, aby wyjść